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公开(公告)号：CN103779470A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310487566.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/3209 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L33/005 , H01L51/5044 , H01L51/5278 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成于绝缘层上的下部电极；形成于所述下部电极彼此之间的部分之上，并具有分别位于所述下部电极的端部上的突出部的分隔壁；分别形成于所述下部电极和所述分隔壁上的第一发光单元；形成于所述第一发光单元上的中间层；形成于所述中间层上的第二发光单元；以及形成于所述第二发光单元上的上部电极，其中，所述突出部和所述下部电极的每一个的距离大于位于所述下部电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度。
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公开(公告)号：CN103779470B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201310487566.7
申请日：2013-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/3209 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L33/005 , H01L51/5044 , H01L51/5278 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成于绝缘层上的下部电极；形成于所述下部电极彼此之间的部分之上，并具有分别位于所述下部电极的端部上的突出部的分隔壁；分别形成于所述下部电极和所述分隔壁上的第一发光单元；形成于所述第一发光单元上的中间层；形成于所述中间层上的第二发光单元；以及形成于所述第二发光单元上的上部电极，其中，所述突出部和所述下部电极的每一个的距离大于位于所述下部电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度。
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公开(公告)号：CN107111970A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059162.5
申请日：2015-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/1339 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L27/1255 , H01L27/1262 , H01L27/322 , H01L27/323 , H01L51/0024 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5253 , H01L2251/303
Abstract: 提供一种外围电路部的工作稳定性高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置包括第一衬底以及第二衬底。在第一衬底的第一面上设置有第一绝缘层。在第二衬底的第一面上设置有第二绝缘层。第一衬底的第一面与第二衬底的第一面相对。在第一绝缘层与第二绝缘层之间设置有粘合层。在第一衬底及第二衬底的边缘部附近形成有与第一衬底、第一绝缘层、粘合层、第二绝缘层、第二衬底接触的保护膜。
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公开(公告)号：CN1917220B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200610139856.2
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/42384
Abstract: 制造半导体器件的方法，通过使用很少数目的光掩膜，得到对于象素部分的驱动条件和驱动电路最佳的TFT(薄膜晶体管)结构。在第一绝缘薄膜上形成第一到第三半导体薄膜。在第一到第三半导体薄膜上形成第一形状的第一、第二、第三电极。在第一掺杂处理中，使用第一形状的第一、第二、第三电极作为掩膜，在第一到第三半导体薄膜中形成一种导电类型的第一浓度杂质区域。从第一形状的第一、第二、第三电极形成第二形状的第一、第二、和第三电极。在第二掺杂处理中，在第二半导体薄膜中形成与第二形状的第二电极相重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域。在第二掺杂处理中，还在第一和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域。在第三掺杂处理中，在第三半导体薄膜中形成具有与一种导电类型相反的另一种导电类型的、第四和第五浓度杂质区域。
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公开(公告)号：CN1917220A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610139856.2
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/42384
Abstract: 通过使用很少数目的光掩膜，得到对于象素部分的驱动条件和驱动电路最佳的TFT(薄膜晶体管)结构。在第一绝缘薄膜上形成第一到第三半导体薄膜。在第一到第三半导体薄膜上形成第一形状的第一、第二、第三电极。在第一掺杂处理中，使用第一形状的第一、第二、第三电极作为掩膜，在第一到第三半导体薄膜中形成一种导电类型的第一浓度杂质区域。从第一形状的第一、第二、第三电极形成第二形状的第一、第二、和第三电极。在第二掺杂处理中，在第二半导体薄膜中形成与第二形状的第二电极相重叠的、一种导电类型的第二浓度杂质区域。在第二掺杂处理中，还在第一和第二半导体薄膜中形成一种导电类型的第三浓度杂质区域。在第三掺杂处理中，在第三半导体薄膜中形成具有与一种导电类型相反的另一种导电类型的、第四和第五浓度杂质区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1477676A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03132897.0
申请日：2003-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浜田崇
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L51/0021
Abstract: 采用电子束蒸发法在其上形成薄膜晶体管的衬底上形成薄膜的过程中，提供了一种形成所需的薄膜而不引起薄膜晶体管特性异常的技术。该技术的特征在于，用电子束蒸发法在电连接薄膜晶体管的电极上形成薄膜的过程中，对电子的加速电压进行控制，使得当用于形成薄膜的蒸发材料受到电子束照射时，辐射线基本上不从蒸发材料中辐射出来。辐射线基本上不辐射出来表示为：对电子的加速电压进行控制，使得薄膜晶体管不会因从蒸发材料中辐射出的辐射线而受到损坏。
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公开(公告)号：CN117397367A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280038334.0
申请日：2022-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种实现高颜色再现性的显示装置。提供一种高亮度的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。显示装置包括第一绝缘层、设置在第一绝缘层的开口内部的第一导电层、第一导电层及第一绝缘层上的第一EL层、与第一EL层的侧面及第一绝缘层的顶面接触的第二绝缘层以及第一EL层及第二绝缘层上的第二导电层。
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公开(公告)号：CN100570813C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200410068570.0
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02672 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78627
Abstract: 在辐射大范围输出激光束可选择性地辐射的情况下，可使用与常规不同的材料和结构的掩模来辐射激光束。本发明的一个特征是通过使用反射激光束的掩模来选择性地辐射将激光束。该掩模是由层迭至少第一材料和第二材料组成的迭层薄膜形成的。当第一材料的折射率为n1；第二材料的折射率为n2；且折射率满足n1＜n2时，为了用激光束从基片的上表面的一侧辐射，在基片上层迭非晶半导体薄膜、第一材料和第二材料。
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公开(公告)号：CN100557847C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200410078496.0
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L21/31608 , H01L27/3246 , H01L27/3276 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5246 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光器件，该发光器件在提高获取来自发光元件的发光效率的同时，实现了低功耗和高稳定性。为了实现稳定性高的发光器件，至少层间绝缘膜(包含平整膜)、阳极、以及覆盖该阳极边缘的堤坝(bank)包含在化学性和物理性上稳定的氧化硅，或者，层间绝缘膜和堤坝由以氧化硅为主要成分的材料。根据本发明的结构，不但可以提高发光面板的效率(亮度/电流)，而且可以抑制发光面板的发热，在发光器件的可靠性上获取乘数效应。
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公开(公告)号：CN1596045A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410078496.0
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L21/31608 , H01L27/3246 , H01L27/3276 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5246 , H01L51/5281 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
Abstract: 本发明的目的是提供一种发光器件，该发光器件在提高获取来自发光元件的发光效率的同时，实现了低功耗和高稳定性。为了实现稳定性高的发光器件，至少层间绝缘膜(包含平整膜)、阳极、以及覆盖该阳极边缘的堤坝(bank)包含在化学性和物理性上稳定的氧化硅，或者，层间绝缘膜和堤坝由以氧化硅为主要成分的材料。根据本发明的结构，不但可以提高发光面板的效率(亮度/电流)，而且可以抑制发光面板的发热，在发光器件的可靠性上获取乘数效应。
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