公开(公告)号：CN104977599A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510163836.8

申请日：2015-04-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤信美 ,  舟木英之 ,  木村俊介 ,  中野慎太郎 ,  河田刚 ,  长谷川励

IPC: G01T1/20

CPC classification number: H04N5/378 ,  G01T1/208 ,  G01T1/248 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/107

Abstract: 本申请公开了一种光检测器。根据一实施例，光检测器包括多个光电换能器、多个电阻器、和多个复位部。每个光电换能器被配置成输出由源自将接收的光转换成电荷的检测信号。每个电阻器在该电阻器的一端处与对应的光电换能器的输出端串联连接。每个复位部与对应的电阻器并联连接并配置成响应于检测信号使对应的光电换能器的输出端处于复位电平。

公开(公告)号：CN104465697A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410408858.1

申请日：2014-08-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤信美 ,  上田知正 ,  前田雄也 ,  三浦健太郎 ,  中野慎太郎 ,  坂野龙则 ,  山口一

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L2029/42388

Abstract: 一种显示设备，包括第一电极、第二电极、有机发光层、第一晶体管、以及第二晶体管。该第一晶体管包括第一半导体层、第一导电单元、第二导电单元、第一栅电极、以及第一栅绝缘膜。该第二晶体管包括第二半导体层、第三导电单元、第四导电单元、第二栅电极、以及第二栅绝缘膜。该第一栅绝缘膜内包含的氢的量大于该第二栅绝缘膜内包含的氢的量。

公开(公告)号：CN102484135B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN200980161251.5

申请日：2009-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  中野慎太郎 ,  齐藤信美 ,  原雄二郎 ,  内古闲修一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66969

Abstract: 提供一种薄膜晶体管，它包括：栅电极；半导体层，其面对栅电极设置并包括含有镓和锌中的至少一种以及铟的氧化物；栅绝缘膜，设置在栅电极和半导体层之间；以及源电极和漏电极，它们电连接到半导体层并彼此分隔开。半导体层包括三维地散布在半导体层中并具有原子排列周期性的多个微晶体。

公开(公告)号：CN104064566A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410078469.7

申请日：2014-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中野慎太郎 ,  上田知正 ,  三浦健太郎 ,  齐藤信美 ,  坂野龙则 ,  前田雄也 ,  山口一

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 根据一个实施例，显示器件包括基板单元、薄膜晶体管、像素电极、以及显示层。基板单元包括基板、设置在基板上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。薄膜晶体管设置在基板单元上，并且包括设置在第二绝缘层上的栅电极、与栅电极分开的具有氧化物的半导体层、设置在栅电极和半导体层之间的栅极绝缘层、第一导电部分、第二导电部分、以及第三绝缘层。像素电极连接到选自第一和第二导电部分中的一个。显示层被配置成具有根据提供给像素电极的电荷而发生的光发射或者光学特性的变化。

公开(公告)号：CN103681872A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310085212.X

申请日：2013-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中野慎太郎 ,  三浦健太郎 ,  齐藤信美 ,  坂野龙则 ,  上田知正 ,  山口一

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/1033

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管和显示装置。根据一个实施例，显示装置包括薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括栅绝缘膜、半导体层、栅电极、第一和第二沟道保护膜、第一和第二导电层、和钝化膜。该半导体层被设置在该栅绝缘膜的主表面上。该半导体层包括第一到第七部分。该栅绝缘膜被部署在该半导体层和该栅电极之间。第一沟道保护膜覆盖第三部分。该第二沟道保护膜覆盖该第五部分和第四部分、以及第一沟道保护膜的上表面。该第一导电层覆盖第六部分。该第二导电层覆盖第七部分。该钝化膜覆盖该第一和第二部分、第一和第二导电层、以及第二沟道保护膜。

公开(公告)号：CN102693999B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201110285393.1

申请日：2011-09-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤信美 ,  上田知正 ,  山口一 ,  三浦健太郎 ,  中野慎太郎 ,  坂野龙则

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/08

Abstract: 根据一个实施例，显示装置包括绝缘层、显示单元和有机EL层。显示单元被设置在绝缘层的主表面上并且包含多条栅极线、多条信号线、多条电源线以及排列成矩阵结构的多个像素单元。有机EL层被设置在显示单元上。每个像素单元包含驱动晶体管和电阻器。驱动晶体管包含驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极。驱动源电极或驱动漏电极被连接到多条电源线中的一条信号线。电阻器的一端被连接到驱动栅电极。电阻器的另一端被连接到栅极线、信号线和电源线中的一个。

公开(公告)号：CN103378312A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210359267.0

申请日：2012-09-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤信美 ,  三浦健太郎 ,  上田知正 ,  中野慎太郎 ,  坂野龙则 ,  山口一

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5231 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明涉及一种显示装置。根据一个实施例，显示装置包括透光衬底、透光像素电极、开关元件、有机发光层、透光相对电极、导电光吸收层和导电膜。透光像素电极设置在衬底上。开关元件设置在衬底上并且电连接至像素电极。有机发光层设置在像素电极上。透光相对电极设置在有机发光层上。导电光吸收层设置在相对电极上。导电膜设置在光吸收层上。

公开(公告)号：CN102484135A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200980161251.5

申请日：2009-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上田知正 ,  中野慎太郎 ,  齐藤信美 ,  原雄二郎 ,  内古闲修一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66969

Abstract: 提供一种薄膜晶体管，它包括：栅电极；半导体层，其面对栅电极设置并包括含有镓和锌中的至少一种以及铟的氧化物；栅绝缘膜，设置在栅电极和半导体层之间；以及源电极和漏电极，它们电连接到半导体层并彼此分隔开。半导体层包括三维地散布在半导体层中并具有原子排列周期性的多个微晶体。

公开(公告)号：CN103022143B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210177380.7

申请日：2012-05-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中野慎太郎 ,  上田知正 ,  三浦健太郎 ,  齐藤信美 ,  坂野龙则 ,  山口一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0096 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、用于制造该薄膜晶体管的方法、以及显示设备。根据一个实施例，薄膜晶体管包括衬底、栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、第二绝缘膜、源电极、以及漏电极。栅电极设置在衬底的一部分上。第一绝缘膜覆盖栅电极。氧化物半导体膜经由第一绝缘膜设置在栅电极上。第二绝缘膜设置在氧化物半导体膜的一部分上。源电极和漏电极分别连接到未用第二绝缘膜覆盖的氧化物半导体膜的第一和第二部分。氧化物半导体膜包括氧化物半导体。第一和第二绝缘膜中的含氢浓度分别不小于5×1020原子/cm-3，并且不大于1019原子/cm-3。

公开(公告)号：CN104465782A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410432014.0

申请日：2014-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中野慎太郎 ,  上田知正 ,  三浦健太郎 ,  齐藤信美 ,  坂野龙则 ,  前田雄也 ,  热田昌己 ,  山口一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明公开了半导体元件、显示设备、半导体元件及显示设备的制造方法。一种半导体元件，包括半导体层、第一和第二导电单元、栅电极、和栅绝缘膜。半导体层包括第一部分、第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。第一导电单元电连接至第一部分。第二导电单元电连接至第二部分。栅电极与第一导电单元、第二导电单元、和第三部分分离。栅电极与第三部分相对。栅绝缘膜设置在第三部分和栅电极之间。第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。