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公开(公告)号：CN103403888B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201180068941.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：半导体层、p侧电极（16）、n侧电极（17）、和无机膜（30）。半导体层包括具有不平坦性的第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层（13）。该半导体层包括氮化镓。p侧电极（16）被设置在包括发光层（13）的区域中的第二表面上。n侧电极（17）被设置在不包括发光层的区域中的第二表面上。无机膜被设置为遵从第一表面的不平坦性，并与所述第一表面接触。无机膜的主要成分为硅和氮。无机膜的折射率介于氮化镓的折射率和空气的折射率之间。也在无机膜的表面中形成不平坦性。
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公开(公告)号：CN103403888A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180068941.3
申请日：2011-09-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：半导体层、p侧电极（16）、n侧电极（17）、和无机膜（30）。半导体层包括具有不平坦性的第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层（13）。该半导体层包括氮化镓。p侧电极（16）被设置在包括发光层（13）的区域中的第二表面上。n侧电极（17）被设置在不包括发光层的区域中的第二表面上。无机膜被设置为遵从第一表面的不平坦性，并与所述第一表面接触。无机膜的主要成分为硅和氮。无机膜的折射率介于氮化镓的折射率和空气的折射率之间。也在无机膜的表面中形成不平坦性。
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公开(公告)号：CN103403889A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010835.4
申请日：2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层（15）、p侧电极（16）、n侧电极（17）、无机绝缘膜（14）、p侧互连部分（21）、n侧互连部分（22）和有机绝缘膜（20）。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上，至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部（216）和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部（226）重叠在有机绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN1917242A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610115582.3
申请日：2006-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/387
Abstract: 本发明的LED芯片包括：圆柱形GaP基片，其中在其外壁表面中形成了锥形部分，该锥形部分的外形在朝着上底面一侧变窄；上表面电极，置于GaP基片的上底面；发光层，置于GaP基片的下底面；以及下表面电极，置于相对于发光层而言与GaP基片相对置的一表面，该下表面电极排列在与上表面电极相对的区域以外的环形区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104779336A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410226984.5
申请日：2014-05-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L2224/20 , H01L2224/73267
Abstract: 本发明提供一种发光装置，维持发光强度或者亮度，并且色斑较少。本实施方式的发光装置具备发光元件。第一膜覆盖发光元件。荧光膜设置在第一膜上，局部地覆盖发光元件的光取出面的至少中心部的上方。透明部设置在荧光膜上。
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公开(公告)号：CN104465970A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410407696.X
申请日：2014-08-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/60
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/502
Abstract: 有关实施方式的半导体发光装置具备包含发光层在内的层叠体、设在上述层叠体之上的第1及第2电极、将上述层叠体、上述第1及第2电极覆盖的绝缘层、电连接在上述第1电极上的第1再配线、电连接在上述第2电极上的第2再配线、和将上述层叠体的侧面覆盖的遮光部。上述第1再配线、上述第2再配线及上述遮光部在与上述绝缘层接触的面上包含对于上述发光层的放射光的反射率为80％以上的部件。
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公开(公告)号：CN102916344A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210276138.5
申请日：2012-08-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S1/00 , H01S5/12 , H01S5/2022 , H01S5/2031 , H01S5/2054 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明的半导体激光器件具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层，设有脊形波导。并且，上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线激光光的第1区域、与能缓和从上述第1区域注入的载流子的能量的第2区域交替地叠层而成的级联构造，在上述脊形波导延伸的方向上能射出上述红外线激光光。电介质层设置为在与上述脊形波导正交的截面，从两侧夹着上述叠层体的侧面的至少一部分。电介质层的光的透射率下降至50%的波长是16μm，具有比构成上述活性层的任一层的折射率还低的折射率。
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公开(公告)号：CN103403889B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280010835.4
申请日：2012-01-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
Abstract: 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、无机绝缘膜(14)、p侧互连部分(21)、n侧互连部分(22)和有机绝缘膜(20)。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上，至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部(21b)和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部(22b)重叠在有机绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN102916344B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210276138.5
申请日：2012-08-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S1/00 , H01S5/12 , H01S5/2022 , H01S5/2031 , H01S5/2054 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明的半导体激光器件具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层，设有脊形波导。并且，上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线激光光的第1区域、与能缓和从上述第1区域注入的载流子的能量的第2区域交替地叠层而成的级联构造，在上述脊形波导延伸的方向上能射出上述红外线激光光。电介质层设置为在与上述脊形波导正交的截面，从两侧夹着上述叠层体的侧面的至少一部分。电介质层的光的透射率下降至50%的波长是16μm，具有比构成上述活性层的任一层的折射率还低的折射率。
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