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公开(公告)号：CN102194953A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010274410.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
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公开(公告)号：CN102790155B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210048487.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN102790147B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210017269.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103296172A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310157655.5
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
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公开(公告)号：CN103165787A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210535484.0
申请日：2012-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/44
Abstract: 根据一实施例，一种半导体发光装置包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，其含有氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及设置在所述第一半导体层的与发光层相反的一侧上并向所述第一半导体层施加压应力的第一应力施加层。
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公开(公告)号：CN103165778A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210525705.6
申请日：2012-12-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/24
Abstract: 本发明公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。根据一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。所述方法可以包括将结构体的堆叠主体接合到衬底主体。所述结构体包括生长衬底和设置在所述生长衬底上的所述堆叠主体。所述堆叠主体包括第一氮化物半导体膜、设置在所述第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在所述发光膜上的第二氮化物半导体膜。所述方法可以包括去除所述生长衬底。所述方法可以包括形成多个堆叠体。所述方法可以包括在第一氮化物半导体层的表面中形成凹凸部。所述方法可以包括形成多个半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN102790155A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210048487.1
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：基础层，其形成在含Al的氮化物半导体层上，该含Al的氮化物半导体层形成在硅衬底上，基础层包含GaN；以及功能层，其被设置在基础层上，功能层包括第一半导体层，第一半导体层的杂质浓度高于基础层的杂质浓度，且第一半导体层包含第一导电类型的GaN。含Al的氮化物半导体层包括多层结构体，多层结构体包括第一层和多个第二层，第一层被设置在第二层之间。第一层和第二层包含氮化物半导体。第一层的Al组成比低于第二层的Al组成比。基础层的厚度大于第一层的厚度且小于第一半导体层的厚度。
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公开(公告)号：CN102790147A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210017269.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02584 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。
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