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公开(公告)号：CN108878276A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810160327.3
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/049 , H01L21/02164 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66181 , H01L29/66666
Abstract: 提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。
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公开(公告)号：CN105390584A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510507533.3
申请日：2015-08-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/647
Abstract: 半导体发光元件包括基体、第一半导体层、第二半导体层、第一发光层、第一导电层、第三半导体层、第四半导体层、第二发光层、第二导电层、第一部件和第二部件。所述第一部件包括第一端部和第二端部。第一端部定位在基体与第一导电层之间并且电连接于第一导电层，第二端部不与第二导电层重叠。第二部件包括第三端部和第四端部。第三端部定位在基体与第二导电层之间并且电连接于第二导电层。第四端部电连接于第二端部。
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公开(公告)号：CN103985800A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410046022.1
申请日：2014-02-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L33/44
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。绝缘单元包含第一绝缘部分、第二绝缘部分以及第三绝缘部分。
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公开(公告)号：CN102623605A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210018042.9
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/42
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部件。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一和第二导电层能够透射从发光部件发出的光。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径。
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公开(公告)号：CN102194953A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010274410.7
申请日：2010-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103985800B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410046022.1
申请日：2014-02-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。绝缘单元包含第一绝缘部分、第二绝缘部分以及第三绝缘部分。
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公开(公告)号：CN102194955B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010275293.6
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L33/42
Abstract: 根据实施方式，提供在透明导电体中使用了ITON层的低驱动电压、高发光效率且发光强度分布均匀化了的半导体发光元件。半导体发光元件具有：基板，在基板上形成的n型半导体层，在n型半导体层上形成的有源层，在有源层上形成的、最上部是p型GaN层的p型半导体层，在p型GaN层上形成的ITON(氧氮化铟锡)层，在ITON层上形成的ITO(氧化铟锡)层，在ITO层上的一部分形成的第1金属电极，以及与n型半导体层连接而形成的第2金属电极。
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公开(公告)号：CN102194955A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275293.6
申请日：2010-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L33/42
Abstract: 根据实施方式，提供在透明导电体中使用了ITON层的低驱动电压、高发光效率且发光强度分布均匀化了的半导体发光元件。半导体发光元件具有：基板，在基板上形成的n型半导体层，在n型半导体层上形成的有源层，在有源层上形成的、最上部是p型GaN层的p型半导体层，在p型GaN层上形成的ITON(氧氮化铟锡)层，在ITON层上形成的ITO(氧化铟锡)层，在ITO层上的一部分形成的第1金属电极，以及与n型半导体层连接而形成的第2金属电极。
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公开(公告)号：CN108878276B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810160327.3
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。
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公开(公告)号：CN105990488A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510097400.3
申请日：2015-03-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/405
Abstract: 本发明的实施方式提供一种高光提取效率的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件，包含:半导体层、第一导电层、及设置在所述半导体层与所述第一导电层之间的第二导电层。所述第二导电层的光透过率高于所述第一导电层的光透过率。所述第二导电层的消光系数为0.005以下。
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