低损耗温度稳定橄榄石型微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN116589270B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202310608847.7

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 本发明提供一种低损耗温度稳定橄榄石型微波介质陶瓷及其制备方法,化学式为(1‑y)Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4‑yCaTiO3,其中0<x≤0.02,9%≤y≤13%。首先制备Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4,通过Ga3+和Al3+分别取代镁橄榄石中的部分Mg2+和Si4+位置,品质因数从203700GHz提升到236600GHz,介电常数在6.55~7.05之间,谐振频率温度系数为‑54~‑38ppm/℃;然后按照质量比加入CaTiO3,充分混合后进行烧结得到温度稳定型的微波介质复合陶瓷。本发明在降低烧结温度的同时,使陶瓷材料具有较低的介电损耗以及良好的温度稳定性,制备工艺简单,在5G/6G等毫米波通讯上作为介质陶瓷材料具有很强的实用性。

    一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用

    公开(公告)号:CN114105642B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202111633420.X

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域,尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路,MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数(4.60–4.70),解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近,同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗(Qf=85983–103086GHz),在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。

    一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115650713A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211332728.5

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明提供了一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法,涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为:Mg1‑xCuxSiO3,其中0<x≤0.25。其介电常数为3.3~6.4,介电损耗为0.0001~0.003@10GHz,谐振频率温度系数为‑55~‑33ppm/℃,可应用于5G通信领域。其制备方法主要包括:配料、一次球磨、预烧、二次球磨、烘干、造粒、成型、排胶和烧结。本发明通过形成固溶体的方法,改善了MgSiO3微波介质陶瓷烧结易开裂、粉化的现象,拓宽了致密化烧结温度区间,具有重要的工业应用价值。

    一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构

    公开(公告)号:CN114267930B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202111648425.X

    申请日:2021-12-31

    Abstract: 一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构,属于微波无源器件技术领域。本发明包括顶面金属层、中间介质板及底面金属层,中间介质板内通过设置多个连接顶面金属层和底面金属层的金属化过孔,将顶面金属层与底面金属层之间分隔为四个谐振腔,第一、第二及第三谐振腔之间依次设有耦合窗;顶面金属层上刻蚀有连通第一与第四谐振腔的交叉耦合环形槽;该金属刻蚀槽在本专利中首次创新性提出,可在两个基片集成波导谐振腔间实现电容耦合,从而在滤波器的某些耦合拓扑结构中加入交叉耦合,引入传输零点。本发明在基片集成波导滤波器当中引入交叉耦合结构实现上下边频双零点,并且通过改变新颖电容耦合的结构参数,实现双零点的可控。

    一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN114163242B

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202111641899.1

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷及其制备方法,本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为MgAlF5,其相对介电常数为6.5~7.7,品质因数为31400~40500GHz,本发明的微波介质陶瓷具有十分优异的低介电常数与高品质因数性能组合,在未来微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法采用固相反应法制备工艺,工艺简单,重复性好且合成的物相稳定单一。此外,本发明的一种低介电常数高品质因数的微波介质陶瓷的制备方法以全氟化物为反应原料,烧结温度不高于1200℃,相比于其他氧化物陶瓷,如MgAl2O4(1450℃)等烧结温度降低了275℃以上,能大大节约大规模工业生产的成本。

    一种微波介质陶瓷材料、复合材料及其制备方法、用途

    公开(公告)号:CN115141006A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210776922.6

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明提供一种微波介质陶瓷材料、复合材料及其制备方法、用途,所述微波介质陶瓷材料的化学式为Mg1.8Ni0.2‑xCoxAl4Si5O18,其中0.05≤x≤0.15。本发明的微波介质陶瓷材料为一种Ni2+和Co2+共掺杂的堇青石型晶体结构材料,其中Ni2+和Co2+协同置换占据所述镁堇青石晶格中的部分Mg2+晶格位置,由此使得微波介质陶瓷材料具有较好的微波性能。本发明的复合材料具有好的微波性能,改善了现有的各类堇青石陶瓷材料温度稳定性差的缺陷及品质因数,降低了烧结温度,并使其温度系数近零;该复合材料具有温度稳定高Qf值,有望在5G/6G移动通讯与射频电子电路系统中做电子元器件作为的功能介质使用。

    一种多层石墨烯表面二氧化钛晶型和形貌控制方法

    公开(公告)号:CN114349044A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111645124.1

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明提供一种多层石墨烯表面二氧化钛晶型和形貌控制方法,通过在反应液中加入不同的盐酸量,就可以达到控制在多层石墨烯表面获得的纳米二氧化钛的晶型和形貌的目的。其中,当浓盐酸添加量为0~3mL,在多层石墨烯表面获得均匀的锐钛矿纳米二氧化钛颗粒;当浓盐酸量为3.0~4.0mL时,在多层石墨烯表面获得锐钛矿二氧化钛纳米颗粒和多肉植物形状的金红石二氧化钛两种形貌;当浓盐酸量超过4.0mL,在多层石墨烯表面获得金红石晶型二氧化钛,在盐酸量为4.0mL,4.5mL,6.0mL时,获得的金红石二氧化钛为多肉植物形状,花棒状和棒状结构。本发明方法只需要改变盐酸的反应量就可以制备不同晶型和形貌的二氧化钛/多层石墨烯复合纳米材料,制备工艺简单。

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