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公开(公告)号：CN1841647A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510092678.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在形成铁电电容器之后，形成与铁电电容器连接的Al布线(导电焊盘)。然后，在Al布线周围形成氧化硅膜和氮化硅膜。随后，形成Al2O3膜，作为抑制水分渗入到氧化硅膜中的防渗膜。
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公开(公告)号：CN101213655A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200580050917.1
申请日：2005-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L21/7685 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L27/11509 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L2224/02166 , H01L2224/03 , H01L2224/05006 , H01L2224/05093 , H01L2224/05546 , H01L2224/05556 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在本发明中，通过CMP法等使下层绝缘膜(55)的表面平坦化，在该下层绝缘膜(55)上形成上层绝缘膜(56)和金属保护膜(59)。因此，上层绝缘膜(56)和金属保护膜(59)形成为覆盖率良好的状态，能够使上层绝缘膜(56)和金属保护膜(59)最大限度地发挥对水分及氢的遮蔽功能。
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公开(公告)号：CN100429744C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200510092678.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/314
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在形成铁电电容器之后，形成与铁电电容器连接的Al布线(导电焊盘)。然后，在Al布线周围形成氧化硅膜和氮化硅膜。随后，形成Al2O3膜，作为抑制水分渗入到氧化硅膜中的防渗膜。
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公开(公告)号：CN101213667A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200580050942.X
申请日：2005-07-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L28/65 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 以覆盖焊盘电极(54a)周围且与该焊盘电极电绝缘的状态，形成具有水分以及氢阻挡功能的保护膜(56)。保护膜材料选择采用比绝缘材料更显著地表现出水分以及氢阻挡功能的具有耐湿性的导电材料，在本发明中采用钯(Pd)或含有钯的材料、或者铱(Ir)或铱氧化物(IrOx：典型情况为x＝2)或含有这些成分的材料。通过相对简单的结构，可充分可靠地防止水分以及氢侵入内部，从而能够实现可保持铁电电容器结构(30)的高性能的可靠性高的FeRAM。
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