一种磁码盘薄膜及其制备方法、磁编码器

    公开(公告)号:CN117393357A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311290713.1

    申请日:2023-10-07

    Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种磁码盘薄膜及其制备方法、磁编码器。本发明的磁码盘薄膜,包括位于衬底表面的[SrFe12O19膜/Co膜]n多周期铁氧体薄膜,代替常规铁氧体块体,在纳米尺度范围内,薄膜的磁畴非常均匀,在进行信号的写入时可以写入更高的密度;相比传统的SrFe12O19膜,本发明的磁码盘薄膜,引入Co膜作为周期性的插层,可以大幅提升薄膜的剩磁(剩磁由引入Co膜层前的约2500Oe,提升为引入Co膜插层后的约3700Oe;饱和磁化强度由引入Co膜层前的约3000Oe,提升为引入Co膜插层后的约5200Oe),有利于后续写入NS磁信号后,磁码盘表磁强度的提升。

    磁编码器倍频处理系统及倍频处理方法

    公开(公告)号:CN114755945A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210258819.2

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 本发明涉及编码器技术领域,公开了一种磁编码器倍频处理系统及倍频处理方法。该系统包括:磁传感器芯片、运算放大电路、STM32单片机、稳压模块、FPGA芯片;运算放大电路分别与磁传感器芯片、STM32单片机信号连接;稳压模块分别与STM32单片机、FPGA芯片信号连接;FPGA芯片用于接收稳压模块输出的脉冲信号,并记录相邻两个脉冲信号的时间间隔记作当前的时钟周期;对时钟周期进行倍频处理,得到倍频周期;基于倍频周期进行脉冲输出,得到倍频后的脉冲信号。本发明倍频处理系统结构简单,各部件相互独立,方便维护和复用,使用FPGA芯片对脉冲进行倍频处理,显著提高了输出脉冲的频率,满足高精度细分产品的使用需求。

    编码器协议转换器、转换方法、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117395319A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311393668.2

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本公开涉及一种编码器协议转换器、转换方法、电子设备及存储介质,编码器协议转换器通过数字信号输入接口接收数字编码器发送的数字信号并将数字信号发送给FPGA,由FPGA对数字信号进行协议解析以获取数字编码器的第一转子角度,通过模拟信号输入接口接收正余弦编码器发送的正余弦信号并将正余弦信号发送给MCU,由MCU基于正余弦信号确定正余弦编码器的第二转子角度,以及在未收到数据请求命令时基于转子角度确定输出正余弦信号,并通过模拟信号输出接口将输出正余弦信号发送给伺服驱动器,利用FPGA在接收到伺服驱动器以目标协议发送的数据请求命令时通过数字信号输出接口以目标协议将转子角度发送给伺服驱动器。本方案提高了伺服驱动器对编码器的兼容性。

    一种铁磁/氧化物多层膜的制备方法及铁磁/氧化物多层膜

    公开(公告)号:CN113241253B

    公开(公告)日:2023-02-10

    申请号:CN202110538469.0

    申请日:2021-05-18

    Abstract: 本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法,对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗,在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta,从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系,在真空环境下,对所述薄膜体系进行热处理,重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜,本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法,通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的,可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化,获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态,从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用,导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性,上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。

    一种铁磁/氧化物多层膜的制备方法及铁磁/氧化物多层膜

    公开(公告)号:CN113241253A

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202110538469.0

    申请日:2021-05-18

    Abstract: 本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法,对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗,在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta,从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系,在真空环境下,对所述薄膜体系进行热处理,重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜,本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法,通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的,可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化,获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态,从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用,导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性,上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。

Patent Agency Ranking