-
公开(公告)号：CN102543755A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004176.5
申请日：2012-01-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH3等离子处理锗衬底的方法，在表面形成GeOxNy(x=0.92,y=0.08)介质层，成功实现解钉扎效应，且由于GeON与Ge较小的能量偏移，使得制备的金属/GeON/Ge样品具有较低的接触电阻，因而具有良好的应用价值。
-
公开(公告)号：CN102184912A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110096681.2
申请日：2011-04-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采用铜/钽/氮化钽/钽/镍硅化合物，或者铜/氮化钽/钽/镍硅化合物的接触结构。实验证实，钽与镍硅化合物的直接接触可以很好地提升镍硅化合物的热稳定性，而氮化钽可以有效地阻止铜的扩散，故而该叠层结构可以很好地提高铜与镍硅化合物接触的热稳定性，进而提高器件可靠性，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101016616A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710037907.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。
-
公开(公告)号：CN116995031A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310911177.6
申请日：2023-07-24
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件中Fin阵列的制备方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成一堆叠层；采用第一刻蚀混合气体对堆叠层进行刻蚀，以在衬底上形成若干鳍结构，并同时形成第一聚合物保护膜；若干鳍结构沿第一方向排列；第一聚合物保护膜形成于若干鳍结构沿第一方向的侧壁上；采用第二刻蚀混合气体刻蚀若干鳍结构之间的衬底，同时形成第二聚合物薄膜以及STI空腔；STI空腔的形状为“倒梯形”；第二聚合物薄膜用于辅助形成“倒梯形”的STI空腔；第一聚合物保护膜用于保护对叠层不被刻蚀。本发明提供的技术方案解决了在提高Fin结构的抗弯曲能力的同时，避免了第二次刻蚀过程中出现的对堆叠层的横向选择性刻蚀的问题。
-
公开(公告)号：CN111013563B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201911288012.8
申请日：2019-12-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于化工催化剂技术领域，具体为一种用于二氧化碳气氛下乙烷脱氢制乙烯的尖晶石催化剂及其制备方法。本发明催化剂为掺杂氧化镓的镁铝尖晶石，其通式为：MgGaxAl2‑xO4，x=0.5~2。制备时以可溶性无机盐为前驱体，尿素为沉淀剂，经过溶剂热共沉淀处理，再通过焙烧得到催化剂。本发明方法过程简单、原料易得。制备的催化剂稳定性好，失活慢，易再生；用于二氧化碳气氛下乙烷脱氢反应，乙烷的转化率高且乙烯的选择性较好。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100503880C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710037907.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。
-
公开(公告)号：CN116825823A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310789675.8
申请日：2023-06-29
IPC: H01L29/10 , H01L29/161 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，包括：提供一待刻蚀对象，包括若干鳍结构，每个鳍结构均包括交叠的牺牲层与沟道层，若干鳍结构沿沟道方向的宽度存在不同；对待刻蚀对象进行一次刻蚀后，循环进行表面处理吹扫处理以及二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；所述吹扫处理用于除去第一物质与第二物质；所述第一物质表征了进行表面处理时引入的物质；所述第二物质表征了进行表面处理时产生的物质；该技术方案，在实现SiGe相对于Si高选择比刻蚀的同时，还解决了表面处理过程导致的牺牲层相对于介质材料(比如SiN等)的选择比较低，进而减小后续刻蚀工艺对于介质材料(如SiN等)的损伤的问题。
-
公开(公告)号：CN111013563A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911288012.8
申请日：2019-12-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于化工催化剂技术领域，具体为一种用于二氧化碳气氛下乙烷脱氢制乙烯的尖晶石催化剂及其制备方法。本发明催化剂为掺杂氧化镓的镁铝尖晶石，其通式为：MgGaxAl2-xO4，x=0.5~2。制备时以可溶性无机盐为前驱体，尿素为沉淀剂，经过溶剂热共沉淀处理，再通过焙烧得到催化剂。本发明方法过程简单、原料易得。制备的催化剂稳定性好，失活慢，易再生；用于二氧化碳气氛下乙烷脱氢反应，乙烷的转化率高且乙烯的选择性较好。
-
公开(公告)号：CN101819944A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162432.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为，在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层，然后进行铜材料的填充，从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Si的三元金属氮化物，或含C的三元金属氮化物，金属为难熔金属，该扩散阻挡层的电阻率在100-1000Ωcm之间，厚度在2-50纳米之间。本发明可在半导体元件中源漏与互连之间形成高质量的、黏附性好的铜接触互连结构。
-
公开(公告)号：CN101710577A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910199054.4
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种在铜互连技术中当采用钌(Ru)黏附层时抑制铜氧化的方法。其主要方法就是利用在铜的黏附层或扩散阻挡层中掺入适量的碳(C)，从而来抑制在退火过程中Ru对Cu的增强氧化效应，或是集成电路工作中由于温度升高而引起的Ru对Cu的增强氧化效应。本方法通过改进集成电路的工艺来提高Ru在集成电路铜互连工艺中的性能，并保证其在集成电路铜互连应用中的可靠性。所用方法简单、方便、实用性强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.028 seconds)
