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公开(公告)号：CN117088969A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310607954.8
申请日：2023-05-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了抗新型冠状病毒的单克隆抗体的制备和应用，具体地，本发明公开了1株针对新冠病毒SARS‑CoV‑2的受体结合域(RBD)蛋白的单克隆抗体、编码抗体和抗体片段的核酸序列及其制备方法。体外实验证实本发明的抗体对各种测试的SARS‑CoV‑2及其突变株假病毒都显示很强的中和作用，证实其具备广谱中和能力。
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公开(公告)号：CN115089582B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210556972.3
申请日：2022-05-21
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/4439 , A61P31/14
Abstract: 本发明属于生物医药领域，提供了阿昔替尼在制备抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒药物中的应用，所述的病毒是肠道病毒71型嗜神经性病毒EV‑A71。本发明还包括相应的药物组合、使用方法、试剂盒等。本发明的研究表明，阿昔替尼能够有效的抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒的活性，阿昔替尼治疗后RD细胞的病毒显著减少，并且阿昔替尼对RD细胞中EV‑A71的抑制作用呈现剂量依赖性关系。本发明从已上市药品中筛选具有抗EV‑A71病毒活性的药物，将节约药物筛选过程中有关药物代谢、药物安全和毒理等方面的研究费用，降低药物研发的风险，为EV‑A71感染疾病的对症治疗和新药开发提供新的思路和途径。
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公开(公告)号：CN115089591A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210556766.2
申请日：2022-05-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于生物医药领域，提供了布立尼布在制备抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒药物中的应用。本发明还包括相应的药物组合、使用方法、试剂盒等。本发明的研究表明，布立尼布能够有效的抑制肠道病毒71型嗜神经性病毒的活性，布立尼布治疗后RD细胞的病毒减少，并且布立尼布与RD细胞中EV‑A71抑制作用呈现剂量依赖性抑制。本发明从已上市药品中筛选具有抗EV‑A71病毒活性的药物，将节约药物筛选过程中有关药物代谢、药物安全和毒理等方面的研究费用，降低药物研发的风险，为EV‑A71感染疾病的对症治疗和新药开发提供新的思路和途径。
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公开(公告)号：CN103413829B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310340583.8
申请日：2013-08-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于20纳米以下半导体器件技术领域，具体涉及一种隧穿晶体管器件及其制造方法。本发明的U型的围栅隧穿晶体管器件，将多栅结构与U型沟槽结构结合在一起，使栅电极在三个方向包裹住电流沟道，可以得到更小的关断电流，同时，使栅电极包围源区，增加了源区和栅电极重叠的面积，进而增加了线性隧穿的面积，从而可以得到更大的开启电流。进一步地，本发明对原有的FinFET工艺加以改进以适应U型沟槽的形成，使得U型的围栅隧穿晶体管器件可以得到更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN103219376B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310098145.5
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备氮化镓射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移。同时，由于栅极被钝化层保护，使得源极与漏极能够在栅极形成之后通过合金化工艺来形成，降低了源、漏接触电阻，增强了氮化镓射频功率器件的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219377B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310098164.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种实现源漏栅非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极、漏极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后直接通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103000650B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210529104.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1461 , H01L27/14641 , H01L27/14649
Abstract: 本发明属于半导体感光器件技术领域，具体涉及一种近红外-可见光可调图像传感器。本发明将硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管集成在同一芯片上，通过增加一个传递晶体管，实现硅基光电二极管与锗化硅基光电二极管在不同时刻被同一读出电路控制，从而拓宽感光器件的光谱响应范围，实现芯片的高集成度与多功能性，并降低芯片的制造成本。本发明适用于低功耗、中高端产品以及特定波段的感光设备，特别适用于军事、通信等特定用途的领域。
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公开(公告)号：CN104779166A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510156930.0
申请日：2015-04-04
Applicant: 复旦大学
Inventor： 王鹏飞
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28 , H01L29/4232 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种沟槽式分栅功率器件及其制造方法。本发明的沟槽式分栅功率器件的制造方法，是先进行控制栅凹槽和控制栅的刻蚀，再利用自对准的方式刻蚀衬底外延层以形成分栅凹槽，然后再在分栅凹槽内形成分栅。本发明方法，控制栅凹槽和分栅沟槽的图形使用同一块掩模版，采用自对准工艺刻蚀分栅凹槽，可以降低器件加工的复杂度；可以减小控制栅与漏区之间的寄生电容，降低器件的动态功耗并提高开关速度；可以减少分栅凹槽所占的截面面积，降低芯片的导通电阻。
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公开(公告)号：CN103617949A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310416064.5
申请日：2013-09-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/02315 , H01L21/28158
Abstract: 本发明属于半导体集成电路工艺技术领域，具体涉及一种利用NF3抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法。本发明在淀积高k栅介质层前先用NF3等离子体对硅衬底进行预处理，能够有效地防止氧气在硅衬底中的扩散，从而抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层的生长，降低高k栅介质层的等效氧化层厚度，使得器件的击穿特性等性能得到改善。另外，氮原子对高k栅介质层中的缺陷以及高k栅介质层和硅衬底的界面陷阱还有很好的钝化作用，这使得器件的电特性等方面的性能也得到了改善。
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公开(公告)号：CN103594477A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310548614.9
申请日：2013-11-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体感光器件及其制造方法。本发明半导体感光器件，包括在半导体衬底内形成的一个MOS晶体管、一个感光pn结二极管和一个钉扎二极管，通过一个浮栅开口MOS晶体管的浮栅与感光pn结二极管的一端连接并与钉扎二极管的一端连接，MOS晶体管的环形的漏区包围感光pn结二极管和钉扎二极管、且与感光pn结二极管的另一端连接并与钉扎二极管的另一端连接。钉扎二极管可以把感光pn结二极管的光吸收区域推进到半导体衬底内部，远离受干扰的表面。采用本发明的半导体感光器件制造的图像传感器芯片具有单元面积小、芯片密度高、灵敏度高、分辨率高等优点。
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