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公开(公告)号:CN110957305A
公开(公告)日:2020-04-03
申请号:CN201910922374.1
申请日:2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、天线图案及绝缘层。芯片封装包括半导体管芯及包围半导体管芯的绝缘包封体。天线图案电耦合到芯片封装,其中天线图案的材料包括具有熔融金属颗粒的导电粉末。绝缘层设置在芯片封装与天线图案之间,其中天线图案包括接触绝缘层的第一表面及与第一表面相对的第二表面且第二表面的表面粗糙度大于第一表面的表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN113871339A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202110176171.X
申请日:2021-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 提供一种对半导体工件进行回焊的系统,所述系统包括平台、第一真空模块及第二真空模块、以及能量源。平台包括基座及连接到基座的突出部,平台以可移动的方式沿着平台的高度方向以相对于半导体工件移动,突出部以可操作的方式固持及加热半导体工件,突出部包括第一部分及第二部分,第二部分被第一部分环绕且在空间上与第一部分隔开。第一真空模块及第二真空模块分别耦合到突出部的第一部分及第二部分,第一真空模块及第二真空模块可操作地以分别对第一部分及第二部分施加压力。能量源设置在平台之上,以对由平台的突出部固持的半导体工件进行加热。
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公开(公告)号:CN119581464A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411257784.6
申请日:2024-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 半导体封装件包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中介层。半导体器件位于中介层的第一侧上,并且光学器件位于中介层的第一侧上并且紧邻半导体器件。第一密封剂层包括第一部分和第二部分。第一密封剂层的第一部分位于中介层的第一侧上并且沿半导体器件的侧壁。间隙位于光学器件的第一侧壁和第一密封剂层的第一部分的第二侧壁之间。衬底位于中介层的第二侧上方。半导体器件和光学器件通过中介层电耦合至衬底。本申请的实施例还涉及半导体封装件和封装的方法。
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公开(公告)号:CN113056097A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202011117507.7
申请日:2020-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种器件可以包括第一封装件和第二封装件,其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号:CN113056097B
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202011117507.7
申请日:2020-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种器件可以包括第一封装件和第二封装件,其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号:CN117766410A
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202311636648.3
申请日:2023-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L25/065 , H01L23/498
Abstract: 本揭露实施例提供包括使用焊料的半导体组件及其制造方法。在实施例中,焊料使用第一抗张加强材料、第二抗张加强材料以及共晶调整材料。藉由使用此些材料,所形成且经使用的焊料可具有较少的针状结晶。若非使用此些材料,可能在放置与使用焊料的期间产生针状结晶。
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公开(公告)号:CN115881650A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202210761135.4
申请日:2022-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L21/56 , H01L21/683
Abstract: 一种形成封装件的方法包括形成重建晶圆,该形成晶圆包括将多个器件管芯放置在载体上方,将多个器件管芯密封在密封剂中,以及在多个器件管芯和密封剂上方形成再分布结构。再分布结构包括多个介电层和位于多个介电层中的多个再分布线。该方法还包括对重建晶圆执行修整工艺。修整工艺形成用于重建晶圆的圆形边缘。对重建晶圆执行锯切工艺,使得重建晶圆包括笔直边缘。本发明的实施例还涉及封装件。
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公开(公告)号:CN113140497A
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202110056762.3
申请日:2021-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 一种工件把持器包括卡盘本体及密封环。卡盘本体包括被配置成接纳工件的接纳表面及被配置成施加真空密封的至少一个真空端口。密封环环绕卡盘本体的侧表面。密封环的顶表面高于卡盘本体的接纳表面,且当在工件与卡盘本体之间施加真空密封时,工件抵靠密封环。
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