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公开(公告)号：CN107315032A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710545142.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 一种具有高衰减系数的机械可控裂结装置，涉及机械可控裂结装置。设有骨架底座、步进电机、微芯片和探针装置；所述骨架底座为不锈钢圆柱底座，所述步进电机上开孔，将微芯片、探针装置和步进电机组装固定在开孔上，用于单分子测试；所述步进电机与骨架底座连接；所述微芯片设有聚酰亚胺层和金电极；所述探针装置将微芯片中微小电极引出成平面外界电极，探针装置设有支撑结构和接触结构，所述支撑结构可采用铝合金材料的桥型结构，在支撑结构中心钻有直径1cm的孔洞，用于微芯片的架设；所述接触结构以支撑结构中心孔洞作为分界，两边对称组装上聚酯包膜柔性覆铜板、聚四氟乙烯板、环氧玻纤布基板、银针。
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公开(公告)号：CN101667561B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910112478.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。
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公开(公告)号：CN1195981C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN03130857.0
申请日：2003-05-15
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/416 , G01N35/00 , G01N33/68 , C12Q1/68
Abstract: 涉及一种聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法。其步骤为将聚合后的硅橡胶样品新鲜剥离得芯片组件，放入真空腔，抽真空，用氧气反复冲洗，排出残余气体；再抽真空，加高压使真空腔内的氧气起辉，对芯片组件表面进行氧等离子体轰击，并与大气压平衡，打开真空腔，将经氧等离子体处理好的芯片组件贴合。其键合强度很高，经拉力实验测定，可超过PDMS本体的强度，仪器设备简单，要求的真空度较低。抽真空时间、放气时间短，提高了效率。
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公开(公告)号：CN1484021A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03130857.0
申请日：2003-05-15
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/416 , G01N35/00 , G01N33/68 , C12Q1/68
Abstract: 涉及一种聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法。其步骤为将聚合后的硅橡胶样品新鲜剥离得芯片组件，放入真空腔，抽真空，用氧气反复冲洗，排出残余气体：再抽真空，加高压使真空腔内的氧气起辉，对芯片组件表面进行氧等离子体轰击，并与大气压平衡，打开真空腔，将经氧等离子体处理好的芯片组件贴合。其键合强度很高，经拉力实验测定，可超过PDMS本体的强度，仪器设备简单，要求的真空度较低。抽真空时间、放气时间短，提高了效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103537330B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310503969.6
申请日：2013-10-23
Applicant: 厦门大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种芯片质子泵及其制造和使用方法，该芯片质子泵，包括微通道，其还包括至少一储液池、所述的储液池和微通道之间设有连接通道，该连接通道上设有将储液池和微通道隔开的质子膜，且该质子膜在通电时能驱动质子进入或泵出微通道；以及一微电极，微电极的一极设于储液池，另一极设于微通道上。本发明的质子泵，可以用于改变流经微通道的溶液pH值或形成pH梯度，便于进一步的反应或分离。可应用于微流控芯片通道中溶液的pH控制、改变以及pH梯度建立，并进行分离或分析等。
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公开(公告)号：CN1800983A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510048367.1
申请日：2005-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，前烘后掩膜曝光，用掩膜板遮挡；反转烘后泛曝光，再显影，淀积金层，金厚度为2μm；将溅射好金的硅片用丙酮浸泡至少4h；将浸泡过丙酮的硅片放入超声仪中进行超声剥离。解决了业内一直没有解决的在金膜较厚情况下反剥离工艺技术问题，通过工艺流程与工艺条件的改进，尤其是在涂胶工艺中，采用先涂一层胶，然后烘干后再涂第二层的工艺，显著地加厚了光刻胶的厚度，使反剥离工艺得到改进。
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公开(公告)号：CN103537330A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310503969.6
申请日：2013-10-23
Applicant: 厦门大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种芯片质子泵及其制造和使用方法，该芯片质子泵，包括微通道，其还包括至少一储液池、所述的储液池和微通道之间设有连接通道，该连接通道上设有将储液池和微通道隔开的质子膜，且该质子膜在通电时能驱动质子进入或泵出微通道；以及一微电极，微电极的一极设于储液池，另一极设于微通道上。本发明的质子泵，可以用于改变流经微通道的溶液pH值或形成pH梯度，便于进一步的反应或分离。可应用于微流控芯片通道中溶液的pH控制、改变以及pH梯度建立，并进行分离或分析等。
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公开(公告)号：CN101667561A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910112478.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。
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公开(公告)号：CN100437359C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510048367.1
申请日：2005-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，前烘后掩膜曝光，用掩膜板遮挡；反转烘后泛曝光，再显影，淀积金层，金厚度为2μm；将溅射好金的硅片用丙酮浸泡至少4h；将浸泡过丙酮的硅片放入超声仪中进行超声剥离。解决了业内一直没有解决的在金膜较厚情况下反剥离工艺技术问题，通过工艺流程与工艺条件的改进，尤其是在涂胶工艺中，采用先涂一层胶，然后烘干后再涂第二层的工艺，显著地加厚了光刻胶的厚度，使反剥离工艺得到改进。
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