公开(公告)号：CN101667561B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910112478.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张玉龙 ,  张保平 ,  罗仲梓 ,  蒋书森 ,  张艳 ,  谷丹丹 ,  张春权 ,  李燕飞

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。

公开(公告)号：CN101667561A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910112478.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张玉龙 ,  张保平 ,  罗仲梓 ,  蒋书森 ,  张艳 ,  谷丹丹 ,  张春权 ,  李燕飞

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。