公开(公告)号：CN101667561A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910112478.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张玉龙 ,  张保平 ,  罗仲梓 ,  蒋书森 ,  张艳 ,  谷丹丹 ,  张春权 ,  李燕飞

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。

公开(公告)号：CN101667561B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910112478.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张玉龙 ,  张保平 ,  罗仲梓 ,  蒋书森 ,  张艳 ,  谷丹丹 ,  张春权 ,  李燕飞

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。

公开(公告)号：CN201154988Y

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200720009356.7

申请日：2007-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张玉龙 ,  李燕飞

IPC: C23F1/24 ,  H01L21/306

Abstract: 硅片单面漂浮腐蚀装置，涉及一种用于硅片单面大面积均匀腐蚀的装置。提供一种结构简单、使用方便，不用涂敷或生长保护膜就可实现硅片单面大面积均匀腐蚀的硅片单面漂浮腐蚀装置。设有漂浮体、真空吸附件和密封垫圈，漂浮体为中空桶形体，漂浮体底部设有开口，漂浮体顶部设有槽口；真空吸附件设有真空吸盘和带有弹力的拉杆，拉杆顶部设一挂钩，真空吸盘的底部面积小于漂浮体底部开口面积，真空吸附件嵌设与漂浮体内，挂钩固定在漂浮体顶部的槽口上，密封垫圈位于漂浮体底部。