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公开(公告)号：CN109444229A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811047603.1
申请日：2018-09-07
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/333
CPC classification number: G01N27/26 , G01N27/333
Abstract: 本发明公开了一种检测痕量汞离子的电化学方法，包括如下步骤：(1)在电解池中放置工作电极、参比电极和对电极构成三电极体系，并接入电化学分析装置；(2)在电解池中加入含有一定浓度卤素离子/类卤素离子的盐酸溶液作为支持电解液，再加入汞离子标液；(3)上述溶液中的汞离子在负电位下电沉积于工作电极表面，用阳极溶出伏安法反向溶出汞离子，记录汞离子溶出的峰电位与峰电流值，根据不同的汞离子浓度对应的峰电流值，绘制标准曲线；(4)将待测样品加入电解池中，按照与步骤(3)完全一样的步骤和参数获得数据，代入上述标准曲线的线性方程，获得待测样品中的汞离子的浓度。本发明在电解液中引入卤素离子/类卤素离子使得检测的灵敏度提高，同时检测的电化学信号保持了很好的电流响应，具有良好的稳定性和重复性。
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公开(公告)号：CN109444229B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811047603.1
申请日：2018-09-07
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/333
Abstract: 本发明公开了一种检测痕量汞离子的电化学方法，包括如下步骤：(1)在电解池中放置工作电极、参比电极和对电极构成三电极体系，并接入电化学分析装置；(2)在电解池中加入含有一定浓度卤素离子/类卤素离子的盐酸溶液作为支持电解液，再加入汞离子标液；(3)上述溶液中的汞离子在负电位下电沉积于工作电极表面，用阳极溶出伏安法反向溶出汞离子，记录汞离子溶出的峰电位与峰电流值，根据不同的汞离子浓度对应的峰电流值，绘制标准曲线；(4)将待测样品加入电解池中，按照与步骤(3)完全一样的步骤和参数获得数据，代入上述标准曲线的线性方程，获得待测样品中的汞离子的浓度。本发明在电解液中引入卤素离子/类卤素离子使得检测的灵敏度提高，同时检测的电化学信号保持了很好的电流响应，具有良好的稳定性和重复性。
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公开(公告)号：CN101667561B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910112478.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。
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公开(公告)号：CN113471299A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110849437.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括自下到上依次设置的栅极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述有源层包括在绝缘层表面依次交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层。本发明通过将有源层设置为交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层，将Ti4+引入到有源层中，利用Ti4+与O2‑较强的结合能，抑制了薄膜晶体管中的氧缺陷，从而有效调控有源层载流子的浓度，进而提高了薄膜晶体管的电流开关比。实施例的结果显示，本发明提供的薄膜晶体管具有良好的电学性能，电流开关比为不低于105，亚阈值摆幅为0.58～0.68V/dec，低阈值电压为0.52～1.06V。
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公开(公告)号：CN108732215A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810485137.9
申请日：2018-05-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种电化学原位光谱电解池及其应用，包括一电解池本体，该电解池本体包括一进液口、一出液口和一光学检测窗，该进液口和出液口设于电解池本体的相对的二侧壁，该进液口连通流动注射装置或微流控装置，该光学检测窗设于电解池本体的上部。本发明的电化学原位光谱电解池具有能适应合适的光谱波长范围、较高的光学灵敏度、可适用于各类溶剂、较小的池时间常数、易填充清洗且兼具电化学法样品前处理和废水处理等特点，解决了现有电化学原位光谱检测装置的技术缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546965B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910111640.9
申请日：2009-04-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L41/113 , H02N2/00
Abstract: 基于MEMS的平面振动双螺旋压电换能器，涉及一种换能器，尤其是涉及一种基于微机电系统(MEMS)技术，主要应用于环境中的低频振动能量收集，还可用于惯性传感器、加速计、陀螺仪、作动器等的平面振动双螺旋压电换能器。提供一种基于MEMS的平面振动双螺旋压电换能器。设有外壳、PZT压电薄膜、两组大质量块、两对电极和一对接线端。换能器平面振动，即收集平面内振动的机械能；双螺旋状压电梁式结构，d31工作模式的压电器件，能够产生较大的机电耦合特性；新颖可靠的电极结构能够同时用于极化和传导，电极串联输出；采用MEMS工艺制作，与硅加工工艺兼容，易与其它基于MEMS工艺的传感器集成。
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公开(公告)号：CN113471299B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110849437.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括自下到上依次设置的栅极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述有源层包括在绝缘层表面依次交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层。本发明通过将有源层设置为交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层，将Ti4+引入到有源层中，利用Ti4+与O2‑较强的结合能，抑制了薄膜晶体管中的氧缺陷，从而有效调控有源层载流子的浓度，进而提高了薄膜晶体管的电流开关比。实施例的结果显示，本发明提供的薄膜晶体管具有良好的电学性能，电流开关比为不低于105，亚阈值摆幅为0.58～0.68V/dec，低阈值电压为0.52～1.06V。
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公开(公告)号：CN108732215B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810485137.9
申请日：2018-05-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种电化学原位光谱电解池及其应用，包括一电解池本体，该电解池本体包括一进液口、一出液口和一光学检测窗，该进液口和出液口设于电解池本体的相对的二侧壁，该进液口连通流动注射装置或微流控装置，该光学检测窗设于电解池本体的上部。本发明的电化学原位光谱电解池具有能适应合适的光谱波长范围、较高的光学灵敏度、可适用于各类溶剂、较小的池时间常数、易填充清洗且兼具电化学法样品前处理和废水处理等特点，解决了现有电化学原位光谱检测装置的技术缺陷。
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公开(公告)号：CN101667561A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910112478.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。
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公开(公告)号：CN101546965A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910111640.9
申请日：2009-04-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H02N2/00
Abstract: 基于MEMS的平面振动双螺旋压电换能器，涉及一种换能器，尤其是涉及一种基于微机电系统(MEMS)技术，主要应用于环境中的低频振动能量收集，还可用于惯性传感器、加速计、陀螺仪、作动器等的平面振动双螺旋压电换能器。提供一种基于MEMS的平面振动双螺旋压电换能器。设有外壳、PZT压电薄膜、两组大质量块、两对电极和一对接线端。换能器平面振动，即收集平面内振动的机械能；双螺旋状压电梁式结构，d31工作模式的压电器件，能够产生较大的机电耦合特性；新颖可靠的电极结构能够同时用于极化和传导，电极串联输出；采用MEMS工艺制作，与硅加工工艺兼容，易与其它基于MEMS工艺的传感器集成。
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