公开(公告)号：CN100516285C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710150785.0

申请日：2007-12-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  隋妍萍 ,  陶科 ,  薛颖 ,  席强 ,  姜元建 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵敬芳 ,  王林申 ,  孙云

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。

公开(公告)号：CN101177777A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710150785.0

申请日：2007-12-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  隋妍萍 ,  陶科 ,  薛颖 ,  席强 ,  姜元建 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵敬芳 ,  王林申 ,  孙云

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及一种蒸发具有较高熔点粉末状材料的新型电子束加热蒸发方法与装置。所述方法结合电子束加热蒸发和电阻加热蒸发两种蒸发方式，由高压直流电源为灯丝阴极提供负偏压，使之与接地坩埚间形成强电场；另由低压交流电源为灯丝热阴极提供一个可调的工作电流，使灯丝热阴极发射电子束流；电子束束流在强电场作用下，高速轰击坩埚，将坩埚加热。使用本发明的电子束加热蒸发的方法与装置可以制备用于电致变色器件的变色层三氧化钨WO3薄膜和电解质层氟化锂LiF薄膜，制备的薄膜材料致密、电荷传输性能优良；用于聚酰亚胺衬底柔性薄膜太阳电池镍阻挡层薄膜蒸发制备时，膜厚可以得到精确控制。且设备操作简单。

公开(公告)号：CN102199746A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110119447.7

申请日：2011-05-10

Applicant: 南开大学

Inventor： 隋妍萍 ,  何炜瑜 ,  乔在祥 ,  阮建明 ,  李涛 ,  张德贤

IPC: C23C14/26 ,  C23C14/06

Abstract: 一种热蒸发制备锑化物薄膜P-N结的方法。该方法包括：将洁净的衬底置于高真空镀膜系统的腔室内，将系统抽至高真空；将衬底加热，并保持在设定温度；在蒸发源中加入掺杂源，采用热蒸发的方法，将各个蒸发源加热，通过共蒸发制备掺杂锑化物薄膜材料，调节蒸发源温度可以得到不同掺杂浓度的P型和N型锑化物材料；通过使用不同衬底和蒸发源得到锑化物的同质结或异质结P-N结构。