公开(公告)号：CN119815903A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411916365.9

申请日：2024-12-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  蒋婧儒 ,  许晓燕 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成半导体结构，半导体结构至少包括依次堆叠的牺牲层、第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀源漏区域的半导体结构，并在源漏区域的牺牲层对应的区域内填充绝缘材料，以形成占位结构；在占位结构上，通过前道工艺，基于第一半导体结构，形成第一晶体管的第一部分，第一部分至少包括第一源漏结构；基于第二半导体结构，形成第二晶体管；对第二晶体管进行倒片，并暴露占位结构；去除占位结构，以形成第一晶体管的第一源漏接触金属；通过后道工艺，在第一源漏接触金属上形成第一晶体管的第一金属互连层。本申请可以实现顶部晶体管与底部晶体管的自对准接触。

公开(公告)号：CN119364884A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411372588.3

申请日：2024-09-29

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  张丽杰 ,  周发龙 ,  黄如

IPC: H10F39/18

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该半导体结构包括在第一方向上堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构为互补金属氧化物半导体(CMOS)，第二半导体结构为CMOS图像传感器；该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；第一半导体结构包括第一极性的第一晶体管和第二极性的第二晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；第二半导体结构包括第一极性的第三晶体管和图像传感器单元；第三晶体管和图像传感器单元在第二方向上并排设置。

公开(公告)号：CN119300346A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411258204.5

申请日：2024-09-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一有源结构、半导体结构和第二有源结构，第一有源结构的掺杂浓度与第二有源结构的掺杂浓度相同，半导体结构的掺杂浓度与第一有源结构的掺杂浓度不同；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构和半导体结构；在BL区域内的半导体结构的两侧沉积金属材料，以形成金属结构，金属结构将半导体结构与相邻的半导体结构连通；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用半导体结构和金属结构。本申请可以提高存储器的集成度。

公开(公告)号：CN119156001A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411136041.3

申请日：2024-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构和第一有源结构，第一半导体结构的掺杂浓度与第二有源结构的掺杂浓度相同；在第一半导体结构上靠近第一有源结构的区域内进行离子注入，以形成位于第一半导体结构和第一有源结构之间的BL结构，第一半导体结构、BL结构和第一有源结构在BL区域自对准；基于第一有源结构，形成第一存储器；对第一存储器进行倒片并去除衬底，以暴露第一半导体结构；在BL区域刻蚀第一半导体结构，形成第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二存储器，第一存储器的第一源漏结构和第二存储器的第二源漏结构共用BL结构。本申请可以提高存储器的集成度。

公开(公告)号：CN119133103A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411109208.7

申请日：2024-08-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王逸勐 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；衬底包括横向扩散区域和核心区域；在横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀横向扩散区域和核心区域，以形成鳍状结构；鳍状结构包括沿第一方向堆叠设置的第一鳍状结构和第二鳍状结构；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽；在第一鳍切沟槽中填充氧化物；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；在第二鳍切沟槽中填充氧化物；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以实现横向扩散器件与堆叠晶体管之间的工艺兼容。

公开(公告)号：CN118943140A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410923757.1

申请日：2024-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  郭睿 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及设备。半导体结构，包括：第一正面晶体管和第二正面晶体管；第一背面晶体管和第二背面晶体管；第一介质墙结构；第一正面晶体管和第二正面晶体管对称设置在第一介质墙结构的两侧；第二介质墙结构；第一背面晶体管和第二背面晶体管对称设置在第二介质墙结构的两侧；第一电源轨结构；第一电源轨结构与正面晶体管的源漏结构或背面晶体管的源漏结构连接；第二电源轨结构；第二电源轨结构与背面晶体管的源漏结构或正面晶体管的源漏结构连接；其中，第一电源轨结构和第二电源轨结构堆叠设置在第一介质墙结构和第二介质墙结构之间；第一电源轨结构的正投影和第二电源轨结构的正投影重叠。

公开(公告)号：CN118742010A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410882985.9

申请日：2024-07-03

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 黎明 ,  毕然

IPC: H10B10/00 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供了一种埋置电源轨的垂直沟道静态随机存取存储器，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明SRAM单元包括半导体衬底、埋入式电源轨BPR、垂直沟道晶体管、金属互连层；半导体衬底包括第一有源区、第二有源区和第三有源区，BPR置于半导体衬底内或浅沟道隔离STI中，垂直沟道晶体管包括在第一有源区内的第一选通晶体管PG1和第二下拉晶体管PD2、在第二有源区内的第一上拉晶体管PU1和第二上拉晶体管PU2、在第三有源区内的第一下拉晶体管PD1和第二选通晶体管PG2，通过金属互连形成晶体管之间的内部互连。本发明能降低SRAM单元面积，减小互连寄生电阻和电容，降低SRAM单元性能延迟，减少互连线上功耗。

公开(公告)号：CN114093438B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202111263213.X

申请日：2021-10-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  黎明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/70 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。

公开(公告)号：CN113990953B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202111247985.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  蔡其峰 ,  刘鋆灵 ,  谭聪伟 ,  彭海琳 ,  贺明 ,  张兴 ,  黄如

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态布尔逻辑实现方法及其应用。本发明将Bi2O2Se纳米片转移到硅/高k衬底上作为沟道，通过CMOS兼容的工艺制备背栅场效应晶体管，该器件作为多模态光热传感器可以同时对光信号和热信号产生响应，通过光照和降温实现“AND”和“OR”逻辑操作，通过光照和升温实现“XOR”逻辑操作。利用该器件组成电路，通过以上布尔逻辑可实现对热点图的边缘检测，从而可以对具有光热特征的热点图进行预处理分类。

公开(公告)号：CN118538670A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410778408.5

申请日：2024-06-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成一对有源结构，一对有源结构之间存在间隔，一对有源结构包括一对第一有源结构和一对第二有源结构；在一对有源结构的间隔中依次形成隔离层和介电结构，隔离层包裹介电结构；基于一对第一有源结构，形成正面晶体管；去除位于一对第一有源结构的间隔中的隔离层，以形成第一凹槽；在正面晶体管的栅极区域内，形成正面晶体管的正面栅极结构，第一凹槽内存在金属材料；倒片并去除衬底，以暴露一对第二有源结构；基于形成正面晶体管的正面栅极结构相同的方法，形成背面晶体管的背面栅极结构。本申请中的正背面晶体管均为四栅器件，能够增强栅控作用。