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公开(公告)号：CN1931422A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510086422.6
申请日：2005-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H2)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。
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公开(公告)号：CN101748467B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010033725.2
申请日：2010-01-05
Applicant: 北京大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 本发明公开了一种双通氧化钛纳米管阵列的制备方法，首先在电解液中通过阳极氧化在钛片上生长出氧化钛纳米管阵列，然后将电压突然升高至90-200V保持0.5-10min，最后取出钛片进行摆洗，获得脱离钛片基底的双通氧化钛纳米管阵列。该方法通过电压跃迁使得氧化钛纳米管阵列与基底的脱离和氧化钛纳米管底部的打通同时实现，大大简化了双通氧化钛纳米管阵列的制备过程，且制备参数容易控制，氧化钛纳米管阵列底部打开的效果好，对促进氧化钛纳米管阵列在光电转换中的应用有着重要的意义。
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公开(公告)号：CN101311350B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810101190.0
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维中空结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101311347B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810101187.9
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。本发明还提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101311350A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810101190.0
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维中空结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。上述三维结构的内部是空心的。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维中空结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1349240A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用,属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列,是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列;基底厚度为1μm～0.5mm,纳米线直径为20～200nm,长度为100～500nm。制造步骤包括:(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板;(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发－电镀制造金属薄膜电极;(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列;(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板,露出金属纳米线。本发明的场发射阴应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低,电流密度大,制备简单,成本低。
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公开(公告)号：CN103972021A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410126379.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01J49/40
Abstract: 本发明提出一种基于动量分析器的飞行时间质谱计（MTOF-MS），使得离子质量数与其飞行时间呈线性关系，从而大大扩展仪器的质量数上限，明显提升仪器的分辨本领。本发明所依据的物理原理是，将传统的“等做功”离子加速方式改变为“等冲量”离子加速方式，也即，先把所有离子压缩到一个薄层内等待起飞，然后用高压窄脉冲加速离子，所有等电荷离子将获得同样的动量，再进入无场漂移区，最后按照离子质量数不同陆续到达探测器。也可以让离子通过无场漂移区后再进入离子反射器，折返后再次通过无场漂移区最后陆续到达探测器。按照到达离子的时间序列记录信号，即可识别离子种类。
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公开(公告)号：CN101311349B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810101189.8
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维结构具有类似于倒屋顶的外形，即，顶面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，顶面长方形的长度等于该倒屋顶形的屋脊长度和顶面长方形的宽度的和，特别的，当倒屋顶形的屋脊长度为零时，该倒屋顶形退化为倒金字塔形。本发明同时提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；制备参数容易控制；生成的产物形貌平整，结晶良好，且具有规则的硅的三维立体结构。
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公开(公告)号：CN101148781B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200710119652.7
申请日：2007-07-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氧化锌铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.清洗锌片，除去锌片表层的氧化物并使之平整；b.以0.3～0.5摩尔/升的氢氧化锂水溶液作为电解液，阳极氧化锌片；c.取出锌片，用去离子水冲洗干净，在锌片表面获得氧化锌薄膜，该薄膜为多孔状结构，厚度可达10微米，呈现铁电性质。本发明的方法实现了氧化锌在溶液法生长过程中的锂掺杂，获得了具有铁电性质的氧化锌薄膜，简单易行，所需原料廉价，所用设备简单，制备参数容易控制，实现了氧化锌由一般的压电材料向铁电材料的转化。
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公开(公告)号：CN101311347A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810101187.9
申请日：2008-02-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。本发明还提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。
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