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公开(公告)号:CN113868854B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202111119437.3
申请日:2021-09-24
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法,本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合,可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性,避免了使用传统模型带来的较大偏差。本发明的模型可以进一步计入铁电材料参数呈现空间非均匀分布时对器件特性的影响,使之能够进一步涵盖实际多畴铁电材料参数空间位置波动带来的涨落,有效地评估不同参数、不同畴的尺寸等情形下MFIS‑FeFET电学特性的分散程度。
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公开(公告)号:CN117875381A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202410057247.0
申请日:2024-01-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/06
Abstract: 本申请涉及一种神经网络,包括多个神经元电路,以及多个电子突触电路,其中电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号,并接收一个突触后神经元电路的反馈信号;其中,电子突触电路至少包括:第一晶体管、权值单元、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管;本申请还涉及一种包含如前述的神经网络的电子设备。
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公开(公告)号:CN115146770A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202210870776.3
申请日:2022-07-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络。本申请涉及一种神经网络电路,包括多个神经元电路,以及多个电子突触电路,其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收第一输入信号、第二输入信号和控制信号,并接收一个突触后神经元电路的反馈信号;其中,所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元;本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
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公开(公告)号:CN113868854A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111119437.3
申请日:2021-09-24
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法,本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合,可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性,避免了使用传统模型带来的较大偏差。本发明的模型可以进一步计入铁电材料参数呈现空间非均匀分布时对器件特性的影响,使之能够进一步涵盖实际多畴铁电材料参数空间位置波动带来的涨落,有效地评估不同参数、不同畴的尺寸等情形下MFIS‑FeFET电学特性的分散程度。
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公开(公告)号:CN115146770B
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202210870776.3
申请日:2022-07-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/063 , G06N3/06 , G06N3/0464
Abstract: 一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络电路。本申请涉及一种神经网络电路,包括多个神经元电路,以及多个电子突触电路,其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收第一输入信号、第二输入信号和控制信号,并接收一个突触后神经元电路的反馈信号;其中,所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元;本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
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