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公开(公告)号：CN109671637B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811327524.6
申请日：2018-11-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 魏延宝
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请提供了一种晶圆检测装置和方法，所述检测装置应用于腔室内，包括：传感器组件和判断模块；多个所述传感器组件，设置在所述腔室的顶部，并且多个所述传感器组件沿圆周方向同心定位，用于获取待检测晶圆在所述圆周的不同检测区域的径向位置信息；所述判断模块，用于根据所述径向位置信息及预设标准径向位置信息，判断所述待检测晶圆是否发生偏移，以解决目前晶圆发生偏移，影响后续的工艺流程的问题。
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公开(公告)号：CN110362127B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201810319707.7
申请日：2018-04-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 魏延宝
Abstract: 本发明公开了一种晶片温度控制方法及系统、半导体处理设备。方法包括：S110、接收晶片的当前位置；S130、根据当前位置，判断当前位置与目标位置之间的位置关系；当判定当前位置在目标位置之前或在目标位置之后，执行步骤S140；当判定当前位置与目标位置重合，执行步骤S150；S140、控制加热器以预定开环加热功率进行开环加热，并重复执行步骤S110至步骤S130；S150、控制加热器闭环加热，以使得晶片的实际温度值与预设温度值一致。能够有效减小加热器的温度波动，提高晶片的加工良率，并且在晶片离开目标位置后，能够迅速切断闭环加热时的加热功率，有效防止加热器按照闭环加热时的加热功率继续升温，从而可以缩短下一片晶片的工艺温度的准备时间。
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公开(公告)号：CN110362127A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810319707.7
申请日：2018-04-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 魏延宝
Abstract: 本发明公开了一种晶片温度控制方法及系统、半导体处理设备。方法包括：S110、接收晶片的当前位置；S130、根据当前位置，判断当前位置与目标位置之间的位置关系；当判定当前位置在目标位置之前或在目标位置之后，执行步骤S140；当判定当前位置与目标位置重合，执行步骤S150；S140、控制加热器以预定开环加热功率进行开环加热，并重复执行步骤S110至步骤S130；S150、控制加热器闭环加热，以使得晶片的实际温度值与预设温度值一致。能够有效减小加热器的温度波动，提高晶片的加工良率，并且在晶片离开目标位置后，能够迅速切断闭环加热时的加热功率，有效防止加热器按照闭环加热时的加热功率继续升温，从而可以缩短下一片晶片的工艺温度的准备时间。
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公开(公告)号：CN110349910A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810305925.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN114078685A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111362116.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，具有工艺腔，工艺腔包括用于生成等离子体的发生腔和用于处理晶圆的加工腔；过滤结构及直流电源，过滤结构包括第一过滤部，第一过滤部设置在发生腔与加工腔之间，且具有用于连通发生腔和加工腔的多个第一通孔，第一过滤部由导电材料制成，直流电源与第一过滤部电连接，且通过直流电源向第一过滤部上施加负电压，当等离子体经过第一过滤部时，通过多个第一通孔对等离子体进行过滤，且在负电压的作用下等离子体中的至少部分离子发生复合，以降低过滤后进入加工腔的等离子体中的离子数目。上述发明能够在降低进入加工腔的离子数目的同时尽量减少对进入加工腔的自由基数目的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110527968B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910917468.X
申请日：2019-09-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 魏延宝
Abstract: 本发明提供一种遮挡盘检测装置、磁控溅射腔室及遮挡盘检测方法，该遮挡盘检测装置设于磁控溅射腔室内，用于对遮挡盘的位置是否偏移进行检测，包括检测部、多个检测件、驱动器、检测单元，其中，检测部是绝缘的，设于导电的遮挡盘的表面上；驱动器用于驱动多个检测件在检测位置和工艺位置之间移动；多个检测件是导电的，设置为在处于检测位置且遮挡盘的位置未偏移时，同时与检测部接触；检测单元与多个检测件电连接，用于在多个检测件处于检测位置时，检测任意两个检测件之间是否导通，若是，确定遮挡盘发生偏移，若否，确定遮挡盘未偏移。应用本发明，可以准确判断遮挡盘是否发生偏移。
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公开(公告)号：CN112283436A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011221018.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 魏延宝
Abstract: 本发明提供一种门阀组件，包括阀板、阀板控制机构、调节控制模块和调节执行机构，阀板控制机构用于控制阀板的位置，以使得阀板在封闭出气口的位置、开启出气口的位置或者部分封闭出气口的位置之间切换，阀板控制机构包括用于调节阀板在部分封闭出气口时位置的中位调节件，调节控制模块用于在接收到外部指令后，向调节执行机构发送控制信号，以使调节执行机构根据控制信号调节中位调节件。在本发明提供的门阀组件控制方法和半导体设备中，调节控制模块能够根据外部指令驱动该调节执行机构自动在线控制门阀组件的中位调节件，提高了控制门阀组件的操作效率。本发明还提供一种半导体设备和一种门阀组件的控制方法。
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公开(公告)号：CN110349910B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810305925.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN112283436B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011221018.6
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 魏延宝
Abstract: 本发明提供一种门阀组件，包括阀板、阀板控制机构、调节控制模块和调节执行机构，阀板控制机构用于控制阀板的位置，以使得阀板在封闭出气口的位置、开启出气口的位置或者部分封闭出气口的位置之间切换，阀板控制机构包括用于调节阀板在部分封闭出气口时位置的中位调节件，调节控制模块用于在接收到外部指令后，向调节执行机构发送控制信号，以使调节执行机构根据控制信号调节中位调节件。在本发明提供的门阀组件控制方法和半导体设备中，调节控制模块能够根据外部指令驱动该调节执行机构自动在线控制门阀组件的中位调节件，提高了控制门阀组件的操作效率。本发明还提供一种半导体设备和一种门阀组件的控制方法。
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公开(公告)号：CN113308681A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110560026.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备中的承载装置和半导体工艺设备，该装置包括基座和环绕在基座周围的边缘环，基座主体的外周面与边缘环的内周面相对且相互间隔，形成第一环状气道，基座主体承载有晶圆时，边缘环的上表面和晶圆的下表面相对且互相间隔，形成第二环状气道；第一环状气道与第二环状气道相连通，且在第一台阶部中设置有进气气道，进气气道的出气端与第一环状气道相连通；第一环状气道在基座的径向上的第一宽度以及第二环状气道在基座的轴向上的第二宽度均小于等于半导体工艺设备执行预设工艺时产生的等离子体鞘层的厚度的两倍。本发明的技术方案，既能保证位于晶圆边缘部分下方的气道通畅，又能抑制晶圆背面在该气道中发生放电或打火。
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