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公开(公告)号：CN1323196C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN03808958.0
申请日：2003-04-23
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/36 , C30B29/06 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为(110)的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。
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公开(公告)号：CN1365403A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01800727.9
申请日：2001-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206
Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法,对使用CZ法在V－多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片,用粒子计数器计数粒子时,0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此,提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低,提高装置特性优良的高品质硅片的生产性,并减低成本的制造技术。
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公开(公告)号：CN115244229B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202180020036.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。
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公开(公告)号：CN115103934A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202080096689.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度在容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅粉末的上限量，从而掺杂氮。由此，能够在达成低碳浓度规格的同时，以低成本实现目标的氮掺杂量。
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公开(公告)号：CN113811642A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080033333.8
申请日：2020-03-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其配置有加热器和坩埚并具有中心轴；以及磁场产生装置，其具有超导线圈，磁场产生装置具有四个超导线圈，在由包含X轴和提拉炉的中心轴的剖面划分的两个区域的每一个中，各两个超导线圈配置为相对于剖面线对称，其中，该X轴是包含四个超导线圈的所有线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向，四个超导线圈都配置为，线圈轴相对于Y轴成大于‑30°小于30°的角度范围，该磁力线的方向相对于剖面线对称，在每一个区域中，两个超导线圈产生的磁力线的方向相反。由此，提供一种在单晶提拉装置的解体·安装时不需要使磁场产生装置移动，能够降低培育的单晶中的氧浓度，并且能够抑制培育的单晶中的生长条纹的单晶提拉装置。
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公开(公告)号：CN115103934B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202080096689.6
申请日：2020-12-01
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度在容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅粉末的上限量，从而掺杂氮。由此，能够在达成低碳浓度规格的同时，以低成本实现目标的氮掺杂量。
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公开(公告)号：CN104995340B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201480008259.9
申请日：2014-01-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322 , H01L21/66
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1653213A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810538.1
申请日：2003-05-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203
Abstract: 本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析出处理时，BMD密度表示为1×107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。
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