公开(公告)号：CN1365403A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800727.9

申请日：2001-03-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  布施川泉 ,  太田友彦 ,  前田茂丸

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206

Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法,对使用CZ法在V－多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片,用粒子计数器计数粒子时,0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此,提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低,提高装置特性优良的高品质硅片的生产性,并减低成本的制造技术。

公开(公告)号：CN1227395C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN01800727.9

申请日：2001-03-27

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 星亮二 ,  布施川泉 ,  太田友彦 ,  前田茂丸

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206

Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用CZ法在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此，提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低，提高装置特性优良的高品质硅片的生产性，并减低成本的制造技术。