公开(公告)号：CN115537909A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210649609.6

申请日：2022-06-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤阳平 ,  小林拓生 ,  佐藤亘

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

Abstract: 【技术问题】提供一种单晶提拉装置，其能够以简单的方法防止向隔热部件飞散而附着的热液飞溅下落到原料熔液表面。【解决方案】一种单晶提拉装置，其利用切克劳斯基法，其特征在于，具有与原料熔液表面对置的隔热部件，该隔热部件的与所述原料熔液表面对置的下端面具有凹部，以未形成所述凹部的平坦的所述下端面的表面积为基准，所述下端面的表面积是120％以上。

公开(公告)号：CN104995340B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201480008259.9

申请日：2014-01-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 园川将 ,  佐藤亘 ,  三田村伸晃 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/322 ,  H01L21/66

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3225 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。

公开(公告)号：CN104995340A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480008259.9

申请日：2014-01-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 园川将 ,  佐藤亘 ,  三田村伸晃 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/322 ,  H01L21/66

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3225 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。