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公开(公告)号：CN1304647C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN03810538.1
申请日：2003-05-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203
Abstract: 本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析出处理时，BMD密度表示为1×107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。
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公开(公告)号：CN1227395C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01800727.9
申请日：2001-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206
Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用CZ法在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此，提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低，提高装置特性优良的高品质硅片的生产性，并减低成本的制造技术。
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公开(公告)号：CN105247115A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030832.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/04 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B30/04
Abstract: 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1653213A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810538.1
申请日：2003-05-07
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L21/322
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203
Abstract: 本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析出处理时，BMD密度表示为1×107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30μsec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。
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公开(公告)号：CN1646736A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808958.0
申请日：2003-04-23
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/36 , C30B29/06 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为 的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。
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公开(公告)号：CN105247115B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480030832.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN1323196C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN03808958.0
申请日：2003-04-23
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/22 , C30B15/36 , C30B29/06 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为(110)的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。
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公开(公告)号：CN1365403A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01800727.9
申请日：2001-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206
Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法,对使用CZ法在V－多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片,用粒子计数器计数粒子时,0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此,提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低,提高装置特性优良的高品质硅片的生产性,并减低成本的制造技术。
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