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公开(公告)号：CN110541191B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910458568.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 技术问题：提供一种单晶硅的制造方法，其在通过氮掺杂来促进析出的低/无缺陷结晶单晶硅基板以及外延硅晶片中，即使在顶端的低温/短时间的器件工艺流程中也能够形成充分的BMD，并能够以较高的成品率制造具有较高的吸杂能力的晶片。解决方案：一种单晶硅的制造方法，其特征在于，利用切克劳斯基法通过在结晶整面为N‑区域的条件下进行提拉从而使单晶硅生长，以2×1013atoms/cm3以上且3.2×1014atoms/cm3以下的氮浓度掺杂氮，使单晶硅的提拉轴向的结晶中心部的温度梯度Gc与结晶周边部的温度梯度Ge的比为Ge/Gc＞1，与提拉单晶硅时的偏析所导致的氮浓度的增加相应地逐渐地增大Ge/Gc。
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公开(公告)号：CN106795647A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580046406.6
申请日：2015-08-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种电阻率控制方法，该方法在利用CZ法培育单晶硅时，通过掺杂物来控制所培育的单晶硅的电阻率，其特征在于，具备：初始掺杂工序，初始掺杂主掺杂物以使所述单晶硅具有规定的导电型；追加掺杂工序，培育所述单晶硅的同时，根据由(结晶化后的重量)/(初始硅原料的重量)所表示的固化率，连续性或间断性地追加掺杂具有与所述主掺杂物的导电型相反的导电型的副掺杂物；在所述追加掺杂工序中，当所述固化率为规定值α以上时，追加掺杂所述副掺杂物，在所述固化率达到所述规定值α之前不掺杂所述副掺杂物。由此，提供一种电阻率控制方法，即使在单晶硅培育中发生错位，也能够抑制收率的降低，并且能够精确地控制单晶硅的电阻率。
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公开(公告)号：CN1227395C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01800727.9
申请日：2001-03-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206
Abstract: 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法，对使用CZ法在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片，用粒子计数器计数粒子时，0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此，提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低，提高装置特性优良的高品质硅片的生产性，并减低成本的制造技术。
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公开(公告)号：CN106574395B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201580044303.6
申请日：2015-06-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
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公开(公告)号：CN105917449B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201580004474.6
申请日：2015-01-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111164241A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063993.3
申请日：2018-09-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 星亮二
Abstract: 本发明提供一种单晶硅的培育方法，其为利用CZ法培育高电阻率单晶硅的方法，该培育方法中，培育所述单晶硅时，计算有助于所述单晶硅的目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值，以使施主所造成的载流子浓度变化量为所述计算值以下的方式，设定培育条件以控制培育的单晶硅中的轻元素杂质的浓度，并基于该设定的培育条件来培育具有所述目标电阻率的单晶硅，所述施主起因于可能在制造器件时形成于培育后的所述单晶硅中的所述轻元素杂质。由此，提供一种即使经过器件工序也能够抑制产生起因于轻元素杂质的施主、且能够抑制偏离目标电阻率的变化量的高电阻率单晶硅的培育方法。
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公开(公告)号：CN105247115B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480030832.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×1016atoms/cm3以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×1018atoms/cm3(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。
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公开(公告)号：CN105814676B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480066875.X
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01N15/06 , G01N27/00 , G01N27/04 , G01N27/041 , H01L22/14 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。
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公开(公告)号：CN106574395A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044303.6
申请日：2015-06-19
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
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公开(公告)号：CN105814676A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480066875.X
申请日：2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , G01N15/06 , G01N27/00 , G01N27/04 , G01N27/041 , H01L22/14 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。
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