公开(公告)号：CN1323196C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN03808958.0

申请日：2003-04-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 布施川泉 ,  大国祯之 ,  三田村伸晃 ,  太田友彦 ,  胜冈信生

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/36

CPC classification number: C30B15/22 ,  C30B15/36 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为(110)的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。

公开(公告)号：CN1646736A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03808958.0

申请日：2003-04-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 布施川泉 ,  大国祯之 ,  三田村伸晃 ,  太田友彦 ,  胜冈信生

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/36

CPC classification number: C30B15/22 ,  C30B15/36 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为 的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。