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公开(公告)号：CN102842657A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210205978.2
申请日：2012-06-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/14
Abstract: 本发明提供了呈现出改善的光提取性能的III族氮化物半导体发光器件。在制造方法中，在30kPa压力和1.5×1020/cm3的Mg浓度下通过MOCVD法在发光层上形成p-AlGaN的p覆盖层。在具有III族元素极性的晶体中形成具有氮极性的多个区域，从而p覆盖层在其表面上具有六角形柱状凹凸形状。随后，通过MOCVD方法在p覆盖层上沿着该凹凸形状以膜的形式形成GaN的p接触层。
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公开(公告)号：CN103700579A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310360807.1
申请日：2013-08-19
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 中田尚幸
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02365 , C23C16/0218 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 本发明涉及用于制造第III族氮化物半导体的方法。具有c面主表面的蓝宝石的表面通过ICP干法蚀刻图案化。在氢或氮气氛中在低于700℃的温度下或者在高于800℃至1100℃的温度下对图案化的蓝宝石衬底进行热处理。通过磁控溅射在蓝宝石衬底的在200℃至低于700℃的温度下加热的图案化侧上的表面上形成AIN缓冲层。在缓冲层上，通过MOCVD将具有c面主表面的第III族氮化物半导体层形成为具有1μm至10μm的厚度。
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公开(公告)号：CN101800170B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910265539.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/12 , C30B25/18
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/045
Abstract: 提供制造第III族氮化物半导体的方法，包括：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；通过溅射在生长衬底的形成凹槽的表面上形成缓冲膜；在包含氢和氨的气氛中将衬底加热至目标第III族氮化物半导体生长温度；和在生长温度下在凹槽侧表面上外延生长第III族氮化物半导体。调节缓冲膜厚度或者生长温度，使第III族氮化物半导体主要在凹槽侧表面上沿与生长衬底主表面平行的方向生长。缓冲膜的厚度调节为小于用于在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长第III族氮化物半导体的缓冲膜的厚度。生长温度调节为低于第III族氮化物半导体在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长的温度，优选为1020～1100℃。所用缓冲膜为或者更薄的AlN膜。
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公开(公告)号：CN116646376A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310187023.7
申请日：2023-02-21
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 提供具备电场强度的峰值低且抑制了漏电电流的极化超结部的氮化物半导体装置。一种氮化物半导体装置，具备设置于栅电极与漏电极之间的极化超结部，极化超结部具有：第1氮化物半导体层；第2氮化物半导体层，其设置在第1氮化物半导体层上，并具有比第1氮化物半导体层的带隙宽的带隙；第3氮化物半导体层，其设置在第2氮化物半导体层的上表面的局部，并具有比第2氮化物半导体层的带隙窄的带隙；和第4氮化物半导体层，其设置在第2氮化物半导体层的上表面的局部，离开第3氮化物半导体层而配置得比第3氮化物半导体层靠漏电极侧，并具有比第2氮化物半导体层的带隙窄的带隙，第4氮化物半导体层电位浮动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103700579B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310360807.1
申请日：2013-08-19
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 中田尚幸
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02365 , C23C16/0218 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 本发明涉及用于制造第Ⅲ族氮化物半导体的方法。具有c面主表面的蓝宝石的表面通过ICP干法蚀刻图案化。在氢或氮气氛中在低于700℃的温度下或者在高于800℃至1100℃的温度下对图案化的蓝宝石衬底进行热处理。通过磁控溅射在蓝宝石衬底的在200℃至低于700℃的温度下加热的图案化侧上的表面上形成AIN缓冲层。在缓冲层上，通过MOCVD将具有c面主表面的第III族氮化物半导体层形成为具有1μm至10μm的厚度。
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公开(公告)号：CN101883881B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980101248.4
申请日：2009-01-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。
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公开(公告)号：CN102842657B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210205978.2
申请日：2012-06-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/14
Abstract: 本发明提供了呈现出改善的光提取性能的III族氮化物半导体发光器件。在制造方法中，在30kPa压力和1.5×1020/cm3的Mg浓度下通过MOCVD法在发光层上形成p-AlGaN的p覆盖层。在具有III族元素极性的晶体中形成具有氮极性的多个区域，从而p覆盖层在其表面上具有六角形柱状凹凸形状。随后，通过MOCVD方法在p覆盖层上沿着该凹凸形状以膜的形式形成GaN的p接触层。
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公开(公告)号：CN101883881A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200980101248.4
申请日：2009-01-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。
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公开(公告)号：CN101800170A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910265539.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/12 , C30B25/18
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/045
Abstract: 提供制造第III族氮化物半导体的方法，包括：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；通过溅射在生长衬底的形成凹槽的表面上形成缓冲膜；在包含氢和氨的气氛中将衬底加热至目标第III族氮化物半导体生长温度；和在生长温度下在凹槽侧表面上外延生长第III族氮化物半导体。调节缓冲膜厚度或者生长温度，使第III族氮化物半导体主要在凹槽侧表面上沿与生长衬底主表面平行的方向生长。缓冲膜的厚度调节为小于用于在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长第III族氮化物半导体的缓冲膜的厚度。生长温度调节为低于第III族氮化物半导体在平面生长衬底上沿垂直于生长衬底的方向均匀外延生长的温度，优选为1020～1100℃。所用缓冲膜为或者更薄的AlN膜。
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