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公开(公告)号：CN116646376A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310187023.7
申请日：2023-02-21
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 提供具备电场强度的峰值低且抑制了漏电电流的极化超结部的氮化物半导体装置。一种氮化物半导体装置，具备设置于栅电极与漏电极之间的极化超结部，极化超结部具有：第1氮化物半导体层；第2氮化物半导体层，其设置在第1氮化物半导体层上，并具有比第1氮化物半导体层的带隙宽的带隙；第3氮化物半导体层，其设置在第2氮化物半导体层的上表面的局部，并具有比第2氮化物半导体层的带隙窄的带隙；和第4氮化物半导体层，其设置在第2氮化物半导体层的上表面的局部，离开第3氮化物半导体层而配置得比第3氮化物半导体层靠漏电极侧，并具有比第2氮化物半导体层的带隙窄的带隙，第4氮化物半导体层电位浮动。
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