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公开(公告)号：CN119246889A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411218374.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 本发明公开了一种MEMS加速度计及其吸合失效在线自恢复的方法，加速度计包括敏感结构和检测电路，敏感结构包括上固定极板、下固定极板和中间可移动极板，所述上固定极板和下固定极板分别连接一个二选一电路的输出端，所述二选一电路的第一输入端和第二输入端分别连接反馈电压Vf/‑Vf和预设电压Vref2，所述二选一电路的输出端连接上固定极板电压VT/下固定极板电压VB，加速度计固定极板电压VT/VB不再固定的唯一连接反馈电压Vf/‑Vf，而是根据反馈电压状态二选一的自动选择连接反馈电压Vf/‑Vf或者预设电压Vref2。本发明通过实时在线的改变固定极板上的加载电压，进而解除导致吸合失效的静电力，使得MEMS加速度计恢复正常；本发明对出现的吸合失效可以在不断电的情形下自行恢复正常工作。
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公开(公告)号：CN112504546B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202011252444.6
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了晶圆级气密封装的微小腔体内部气压测试方法和系统，测试方法包括如下步骤：通过应力测量装置获取多个微小腔体内外气压差已知的晶圆级气密封装结构标定样品的盖帽表面应力，并获取应力值与气压差的关联模型；通过应力测量装置获取晶圆级气密封装结构待测样品盖帽表面的应力值；通过测得的待测样品表面应力值及应力值与气压差的关联模型获取待测样品微小腔体的内部气压。本发明对晶圆级气密封装结构的盖帽无透光性要求，可实现通过盖帽表面应力的测试表征，从而获取微小腔体内部气压变化的信息。本发明涉及半导体制造工艺技术领域。
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公开(公告)号：CN113029348A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110195899.7
申请日：2021-02-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及微纳器件测试技术领域，公开了一种表面温度场信息获取方法。将待测样品安装于实际应用环境中，测试获取待测样品在实际应用环境中的第一频率漂移特性曲线；将待测样品固定于红外成像设备上，测试获取待测样品在红外成像设备上的第二频率漂移特性曲线；根据第一频率漂移特性曲线获取待测样品在第一功率下所对应的第一频率漂移；根据第二频率漂移特性曲线获取待测样品的第一频率漂移所对应的第二功率；对固定于红外成像设备上的待测样品施加第二功率，利用红外成像设备获取待测样品的表面温度场信息。通过建立从实际工作环境到显微红外测试环境的映射，消除了由于显微红外测试环境相对于实际工作环境的热导率存在差异而产生的测试误差。
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公开(公告)号：CN111289386A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010156728.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种圆片键合剪切强度测试装置及测试方法。其中，圆片键合剪切强度测试装置，包括载体；载体上设有阻挡台；载体用于放置待测芯片；阻挡台用于阻挡待测芯片的圆片键合底层结构的移动；圆片键合底层结构包括依次叠于当前待测键合结构层下表面的各键合结构层；其中，载体的上表面贴合圆片键合底层结构的下表面，阻挡台的壁面贴合圆片键合底层结构远离接触工具的侧面，以使测试设备通过接触工具、对当前待测键合结构层进行剪切强度测试，得到键合剪切强度。本申请适用于MEMS器件大面积圆片键合以及多层键合的剪切强度测试，能够满足MEMS圆片键合剪切强度测试需求。
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公开(公告)号：CN108982999A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810770370.1
申请日：2018-07-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种氢效应测试装置以及系统。其中，氢效应测试装置，包括控制模块、气氛调控模组、样品测试模块、数据采集模块以及电连接控制模块的服务器；样品测试模块包括密闭盒体、加热器以及电连接待测器件的测试电路板；加热器与测试电路板设于密闭盒体内；加热器电连接控制模块；测试电路板通过数据采集模块电连接控制模块，利用氢效应测试装置能够随时方便地调节待测器件的测试环境，即盒体的气氛以及温度，因而能够测试出待测器件在不同的条件下氢效应对其造成的影响，进而能够全面、准确、快速的测试出氢效应对器件的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119575151A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411952853.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/311 , G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种荧光收集装置和发光载体的制备方法。所述荧光收集装置包括：发光载体，包括发光本体和至少一光路调节体，所述发光本体具有氮空位色心，所述光路调节体位于所述发光载体的至少一个表面；激光发射模块，用于发射激光；其中，所述氮空位色心用于在所述激光的激发下产生荧光光子以从所述发光载体表面出射；所述光路调节体用于改变荧光光子的光路路径；荧光探测模块，用于收集所述荧光光子；所述荧光探测模块收集的荧光光子包括至少部分被所述光路调节体改变光路路径的荧光光子。本申请的荧光收集装置能够提高荧光收集效率。
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公开(公告)号：CN116105923A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310081266.2
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01L27/00
Abstract: 本发明提供一种用于气体压力检测元件的评价方法及评价装置，包括将施压机构与气体压力检测元件对应连接，使得施压机构的容纳腔内的气体对气体压力检测元件施加压力；对应调节容纳腔内的气体体积以改变气体压力检测元件受到的压力，并记录容纳腔内气体体积的变化量和气体压力检测元件检测的压力值；根据记录的数据计算气体压力检测元件受到的压力的倒数是否与容纳腔内气体体积的变化量呈线性关系，从而能够快速判断气体压力检测元件能否正常工作。本申请中的评价装置结构简单，操作方便，体积小，提高了气体压力检测元件的评价效率及携带性，同时评价装置自身不需要被评价，降低了评价装置的维护成本。
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公开(公告)号：CN114329993A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111666433.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种电子器件软错误率评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取电子器件的封装材料释放的粒子的通量‑能量谱；对所述电子器件进行反向分析，确定电子器件的有源区至所述封装材料之间的介质属性信息；根据通量‑能量谱以及介质属性信息，确定电子器件在有源区的粒子通量‑有效线性能量转移值谱；获取对电子器件进行辐照试验获得的电子器件的单粒子效应截面值‑有效线性能量转移值谱；对粒子通量‑有效线性能量转移值谱和单粒子效应截面值‑有效线性能量转移值谱进行运算，确定电子器件的软错误率。采用本方法能够提高电子器件软错误率的评估精度。
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公开(公告)号：CN113900008A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111079609.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供一种测试结构及测试方法，测试结构包括：多条射频链路，各所述射频链路均包括多个焊点以及位于相邻焊点之间与焊点相连接的传输线；不同所述射频链路中至少一处对应的所述传输线的长度不同。对测试结构中的各射频链路进行阻抗测试，以得到各射频链路的阻抗‑时间曲线，根据阻抗‑时间曲线和各射频链路的结构可以识别出长度不同的传输线，从而识别出各射频链路中的焊点和传输线，如果此时有射频链路中存在失效点，由于焊点和传输线已经识别出来，就可以实现对失效点的精确定位，准确分析器件失效位置，满足新型射频器件研制以及应用可靠性研究需求。
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公开(公告)号：CN113358991A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110366120.3
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及高温栅偏试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法、计算机设备及存储介质，在对所述SiC MOSFET器件进行高温栅偏试验的不同试验节点中对SiC MOSFET器件进行电学参数测试时，若没有及时完成对SiC MOSFET器件的测量，可以对SiC MOSFET器件的应力中断时间进行评估，根据预先获取SiC MOSFET器件的阈值电压漂移变化率与应力中断时间和中断后额外施加应力时间的函数关系，以及应力中断时间获取SiCMOSFET器件的额外施加应力时间。对SiC MOSFET器件施加额外施加应力时间的偏置应力，以使SiC MOSFET器件上的阈值电压恢复至预设阈值后，再及时对SiC MOSFET器件进行测量，以保证此时测量得到的阈值电压可以表现SiCMOSFET器件的真实漂移情况。
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