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公开(公告)号：CN114348954B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202111500405.8
申请日：2021-12-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片键合机构及MEMS圆片键合的原位解封方法。所述MEMS圆片键合机构包括：盖帽件、MEMS功能零件、支撑件与第一加热组件，所述盖帽件键合在所述支撑件上，且所述盖帽件与所述支撑件配合形成键合部，所述MEMS功能零件键合在所述键合部上，所述第一加热组件装设在所述支撑件上，且所述第一加热组件用于对所述盖帽件与所述支撑件的键合处进行加热处理。相较于传统的原位解封方式，上述MEMS圆片键合机构能够更加有针对性的实现盖帽件与支撑件的原位解封。
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公开(公告)号：CN119438629A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411589559.2
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01P21/00
Abstract: 本申请涉及一种加速度计参数确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：控制转台以不同转速旋转；转台上设置有待测加速度计，且待测加速度计的敏感轴方向垂直于转台的旋转轴方向；获取待测加速度计在不同转速下的电压曲线；其中，每一电压曲线基于相应转速下待测加速度计在不同时刻下的电压值构建得到；根据不同转速以及相应转速下的电压曲线，确定待测加速度计的加速度计参数。采用本方法能够通过转台的连续转动，构建待测加速度计的参数测试环境，在相应参数测试环境中根据待测加速度计所处的不同转速以及相应转速下的电压曲线，能够更加准确的确定出待测加速度计的加速度计参数。
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公开(公告)号：CN117420262A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311219329.2
申请日：2023-09-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N33/00
Abstract: 本申请涉及一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置。所述方法包括：获取试验样品在标准温度下的第一品质因子和第一谐振频率；在试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的第二品质因子和第二谐振频率；根据第一谐振频率和各第二谐振频率，确定试验样品在各试验温度下的频率变化幅度；根据第一品质因子和各第二品质因子，确定试验样品在各试验温度下的因子变化幅度；根据试验样品在各试验温度下的频率变化幅度和因子变化幅度，确定试验样品的内部材料的放气特性。采用本方法能够准确获取圆片级真空封装器件内部材料的放气特性。
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公开(公告)号：CN116659740A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310446718.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件真空度测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：获取MEMS器件在真空封装条件下的品质因数；获取MEMS器件在不同气压条件下的品质因数；根据不同气压条件下的品质因数进行拟合，得到拟合方程；基于拟合方程以及真空封装条件下的品质因数进行计算，得到MEMS器件的腔内真空度。整个方案通过测量MEMS器件在不同气压条件下的品质因数，根据不同气压条件下的品质因数进行拟合，得到拟合方程，拟合方程可以准确描述气压与品质因数之间的相关关系，进而根据拟合方程以及真空封装条件下的品质因数进行计算，可以准确地得到MEMS器件的腔内真空度。
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公开(公告)号：CN116105923A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310081266.2
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01L27/00
Abstract: 本发明提供一种用于气体压力检测元件的评价方法及评价装置，包括将施压机构与气体压力检测元件对应连接，使得施压机构的容纳腔内的气体对气体压力检测元件施加压力；对应调节容纳腔内的气体体积以改变气体压力检测元件受到的压力，并记录容纳腔内气体体积的变化量和气体压力检测元件检测的压力值；根据记录的数据计算气体压力检测元件受到的压力的倒数是否与容纳腔内气体体积的变化量呈线性关系，从而能够快速判断气体压力检测元件能否正常工作。本申请中的评价装置结构简单，操作方便，体积小，提高了气体压力检测元件的评价效率及携带性，同时评价装置自身不需要被评价，降低了评价装置的维护成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114623790A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210106344.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01B21/08
Abstract: 本申请涉及一种薄膜厚度测量装置、方法、计算机设备和存储介质。所述装置包括：样品固定模块、尺寸测量模块、谐振频率测量模块和处理模块，处理模块分别与尺寸测量模块和谐振频率测量模块连接；样品固定模块用于对预定形状的薄膜样品的所有边进行固定，以使薄膜样品的所有边上的挠度和转角均为0；尺寸测量模块用于测量薄膜样品的平面几何尺寸；谐振频率测量模块用于测量薄膜样品的谐振频率；处理模块用于接收外部输入以获取对应薄膜样品的材料物性参数，并根据薄膜样品的谐振频率、平面几何尺寸和材料物性参数得到薄膜样品的厚度。采用本方法测量薄膜厚度的过程无需破坏薄膜样品，准确度较高，同时对薄膜样品的透光性无要求，适应范围广。
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公开(公告)号：CN109596961B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201811234489.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种GaN器件的可靠性测试方法、装置和系统。可靠性测试方法通过获取GaN器件的瞬时电流曲线；其中，瞬时电流曲线为GaN器件经施加脉冲信号得到；脉冲信号为脉冲宽度小于或等于1微秒的信号。基于瞬时电流曲线进行分析，得到GaN器件的可靠性分析结果。脉冲宽度小的脉冲信号可向GaN器件施加短脉冲电应力，GaN器件的栅极区域可以施加较大的瞬态累加电压应力；同时，实时监测、分析每个短脉冲电应力后GaN器件的电流波形，可获取器件退化、失效的动态全过程行为。本申请实施例的测试方法简单、易操作，在短脉冲的条件下，可施加比传统测试方法更高的电压强度，能够分析器件的可靠性，比对不同器件结构参数之间的优劣性。
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公开(公告)号：CN109596961A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811234489.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2603
Abstract: 本申请涉及一种GaN器件的可靠性测试方法、装置和系统。可靠性测试方法通过获取GaN器件的瞬时电流曲线；其中，瞬时电流曲线为GaN器件经施加脉冲信号得到；脉冲信号为脉冲宽度小于或等于1微秒的信号。基于瞬时电流曲线进行分析，得到GaN器件的可靠性分析结果。脉冲宽度小的脉冲信号可向GaN器件施加短脉冲电应力，GaN器件的栅极区域可以施加较大的瞬态累加电压应力；同时，实时监测、分析每个短脉冲电应力后GaN器件的电流波形，可获取器件退化、失效的动态全过程行为。本申请实施例的测试方法简单、易操作，在短脉冲的条件下，可施加比传统测试方法更高的电压强度，能够分析器件的可靠性，比对不同器件结构参数之间的优劣性。
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公开(公告)号：CN117434212A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311218727.2
申请日：2023-09-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N33/00
Abstract: 本申请涉及一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置。所述方法包括：获取目标气压；其中，目标气压为试验样品内部的气压，试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；在试验样品放置于试验设备，且将试验设备中的气压为目标气压的情况下，通过对试验设备中的温度进行调节，获取试验样品在各试验温度下的目标特征参数；根据试验样品在各试验温度下的目标特征参数，确定试验样品的内部材料的放气特性。采用本方法能够精准确定圆片级真空封装器件内部材料的放气特性。
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公开(公告)号：CN117421864A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311244110.8
申请日：2023-09-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F119/14 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F111/04
Abstract: 本申请涉及一种工艺确定方法、装置、计算机设备及存储介质，涉及人工智能技术领域。所述方法包括：确定待分析器件在初始状态下的初始谐振频率和初始品质因子；根据至少一种候选工艺对待分析器件进行封装处理，得到至少一个候选封装状态下的待分析器件，并确定待分析器件在各候选封装状态下的候选谐振频率和候选品质因子；根据待分析器件在初始状态下的初始谐振频率和初始品质因子，以及待分析器件在各候选封装状态下的候选谐振频率和候选品质因子，从各候选工艺中确定待分析器件对应的目标工艺。本申请能够准确的从候选工艺中确定目标工艺，保证了在根据目标工艺对待分析器件进行封装处理后，对待分析器件的品质因子影响最小。
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