公开(公告)号：CN106505106A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610884867.7

申请日：2016-10-11

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  田野 ,  杨卓 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明提供一种高雪崩耐量的屏蔽栅功率晶体管及其制备方法。该晶体管采用表面MOS结构，半导体外延层设置有沟槽，沟槽内壁生长有上薄下厚的阶梯状场氧化层，场氧化层内淀积有源极多晶硅，沟槽外围设置有P型体区，P型体区内设置有N+源极和P型半导体接触区，P型体区外围设置有N型JFET区，器件表面淀积有源极金属铝，并与外延层形成良好的欧姆接触。其制备方法包括：外延生长步骤，JFET及P型体区离子注入步骤，沟槽刻蚀步骤，氧化层生长步骤，源极多晶硅淀积步骤，栅极多晶硅及栅极氧化层形成步骤，N+源极离子注入步骤，P型半导体接触区离子注入步骤及源极金属淀积步骤。根据本发明制备的屏蔽栅功率半导体晶体管雪崩耐量能力可提高27％以上。

公开(公告)号：CN106505101B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201610911892.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  卞方娟 ,  杨卓 ,  吴汪然 ,  宋慧滨 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底，P型衬底上设埋氧，再设N型外延层且被隔离氧化层分隔成第一、二、三N型外延层，第三N型外延层上部设第二P型体区与N型缓冲层，第二P型体区内设N型发射极与叉指型第二重掺杂P区，第二P型体区上设栅氧化层、多晶硅栅极，N型缓冲层内设P型集电极且作为器件的阳极，上方设阳极金属层；第二N型外延层上部至少设2个第一P型体区并在其中分别设N型MOS管；第一N型外延层上部至少设2个串联的二极管且相邻二极管间设隔离氧化层；N型发射极与所有N型漏极连接，第二重掺杂P区与串联二极管的阳极连接，N型源极、第一重掺杂P区及串联二极管的阴极连接作为器件的阴极。

公开(公告)号：CN103489917B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201310498518.8

申请日：2013-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨卓 ,  倪海涛 ,  祝靖 ,  徐申 ,  钟锐 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/05552

Abstract: 一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体管结构，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底上方设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区中设有P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体区，其特征在于，在N型掺杂硅外延层内还设有绝缘物质填充区，在P型掺杂半导体区及N型掺杂硅外延层的表面设有氧化层，在氧化层上方设有多晶硅，在多晶硅及绝缘物质填充区的上方设有介质层，在介质层上设有栅极焊盘金属且栅极焊盘金属位于绝缘物质填充区的正上方，所述多晶硅通过穿过介质层的金属与栅极焊盘金属相连，在所述P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体区上连接有源极金属。

公开(公告)号：CN105702720A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610061042.5

申请日：2016-01-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  周锦程 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  宋慧滨 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0603

Abstract: 一种绝缘栅双极型晶体管结构，包括集电极金属、P型集电区、N型基极区，N型基极区表面有N型载流子存储层及沟槽柵，沟槽柵将N型载流子存储层分割成条状，条状N型载流子存储层表面存在均匀分布的块状P型体区，块状载流子存储层上设有与第一类型柵氧化层连接的第二类型柵氧化层，第二类型柵氧化层上设有与第一多晶硅柵连接的第二多晶硅柵，块状P型体区表面存在P型源区、N型源区，并与发射极金属连接，其特征在于，块状载流子存储层表面设有与块状P型体区连接的轻掺杂浅P阱，在器件导通时，栅极加正栅压，轻掺杂浅P阱被完全耗尽，实现注入效率增强效应，使器件具有较小的导通压降；在器件关断时，轻掺杂浅P阱不被完全耗尽，形成导电沟道，加快器件关断速度。

公开(公告)号：CN115358049A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210877149.2

申请日：2022-07-25

Applicant: 悉地(苏州)勘察设计顾问有限公司 ,  东南大学

Inventor： 孟繁茹 ,  杨小丽 ,  陆敏博 ,  沈昊 ,  刘畅 ,  马宇辉 ,  杨卓

IPC: G06F30/20 ,  G06F111/10 ,  G06F113/08

Abstract: 本发明公开了一种基于初雨径流控制的LID系统数值模拟优化方法，包括步骤1：构建包括SWMM模型子汇水分区、管段、管网节点等在内的SWMM模型基础框架；步骤2：基于所构建SWMM模型模拟计算LID设施水量水质削减率，并绘制LID设施水量水质削减率效能曲线；步骤3：基于效能曲线，结合雨水控制目标和实地情况，选择LID设施并确定LID设施建设面积，以优化LID设施组合设计。本发明能够有效提升LID设施在海绵城市工程中的针对性及适用性，同时降低建设成本。

公开(公告)号：CN106024910B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201610363983.4

申请日：2016-05-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  童鑫 ,  杨卓 ,  宋慧滨 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

Abstract: 一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内设有柱状第二P型体区，在N型外延层的顶部设有第一P型体区且区位于两柱状第二P型体区之间，其表面设有N型重掺杂源区和P型重掺杂半导体接触区，在N型重掺杂源区、P型重掺杂半导体接触区和第二P型体区上连接有源极金属，在第一P型体区的两侧分别设有多晶硅栅，柱状第二P型体区止于多晶硅栅的下表面，且柱状第二P型体区低于第一P型体区，在多晶硅栅与第一P型体区、N型外延层及第二P型体区之间设有栅氧化层，在多晶硅栅与源极金属之间设有绝缘层，并且，栅氧化层使第一P型体区与第二P型体区相互分离。

公开(公告)号：CN107180865A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710530001.0

申请日：2017-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李胜 ,  徐志远 ,  杨卓 ,  张小双 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括：底部设有集电极金属电极的P型衬底，在P型衬底上方设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有N型外延层，在N型外延层内设有一维阵列分布的P型体区，并在其中设有重掺杂N型发射区，在P型体区与N型外延层之间设有N型载流子存储层，所述晶体管还包括按一维阵列分布的侧壁覆盖有隔离氧化层的沟槽，各个沟槽横向贯穿各P型体区、重掺杂N型发射区及N型外延层，在沟槽内设有和金属层相连的二极管，在各沟槽下方分别设有重掺杂P阱；在位于相邻沟槽之间的N型外延层的上方分别设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅极；将各个重掺杂N型发射区、P型体区和第二金属连接层连接，作为器件的发射极。

公开(公告)号：CN106024892A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610363982.X

申请日：2016-05-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  周锦程 ,  杨卓 ,  宋慧滨 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66409

Abstract: 一种高雪崩耐量的空穴电流分流型功率晶体管及其制备方法，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底上设有N型掺杂硅外延层，N型掺杂硅外延层表面设有沟槽，在沟槽内设有场氧层，在场氧层内设有屏蔽栅和栅极，栅极位于屏蔽栅的两侧且位于场氧层的顶部，在栅极与屏蔽栅之间设有绝缘介质层，同时，在栅极与外延层之间设有栅氧层，外延层的表面设有P型体区，P型体区的表面设有P型源区和N型源区，器件表面覆盖绝缘介质层，源极金属通过绝缘介质层上的通孔与重掺杂N型源区和重掺杂P型源区接触，屏蔽栅还与源极金属接触，在场氧层内设有位于栅极下方的P型多晶硅导电沟道，P型多晶硅导电沟道的一端连于N型掺杂硅外延层，另一端连于屏蔽栅。

公开(公告)号：CN105914233A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610365220.3

申请日：2016-05-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  卞方娟 ,  杨卓 ,  黄智 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66477

Abstract: 一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法。晶体管含N型漏极，N型漏极上设有N型外延层，再设第一、二条形P型体区、第一P型体区，在第一P型体区内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极及第二P型体区，在沟槽栅的上端设有第一场氧化层，重掺杂N型源极位于第一P型体区的上部且限制在沟槽栅之间，第二P型体区位于重掺杂N型源极的下方且通过第一接触金属与源极金属层连接。方法是在衬底生长N型外延层，蚀出深沟槽，制作第一、第二条形P型体区，再制作沟槽栅、第一P型体区、重掺杂N型源极，然后淀积铝形成源极金属层和第一接触金属，最后制作N型漏极。本发明能有效改善体二极管的反向恢复特性并能提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN103779404B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410035881.0

申请日：2014-01-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨卓 ,  陈健 ,  郭超 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: P沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一N型体区和P型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了电子的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一N型体区与P型外延层耗尽决定，因此P型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。