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公开(公告)号：CN106505101B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610911892.X
申请日：2016-10-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底，P型衬底上设埋氧，再设N型外延层且被隔离氧化层分隔成第一、二、三N型外延层，第三N型外延层上部设第二P型体区与N型缓冲层，第二P型体区内设N型发射极与叉指型第二重掺杂P区，第二P型体区上设栅氧化层、多晶硅栅极，N型缓冲层内设P型集电极且作为器件的阳极，上方设阳极金属层；第二N型外延层上部至少设2个第一P型体区并在其中分别设N型MOS管；第一N型外延层上部至少设2个串联的二极管且相邻二极管间设隔离氧化层；N型发射极与所有N型漏极连接，第二重掺杂P区与串联二极管的阳极连接，N型源极、第一重掺杂P区及串联二极管的阴极连接作为器件的阴极。
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公开(公告)号：CN105914233A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610365220.3
申请日：2016-05-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/4232 , H01L29/66477
Abstract: 一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法。晶体管含N型漏极，N型漏极上设有N型外延层，再设第一、二条形P型体区、第一P型体区，在第一P型体区内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极及第二P型体区，在沟槽栅的上端设有第一场氧化层，重掺杂N型源极位于第一P型体区的上部且限制在沟槽栅之间，第二P型体区位于重掺杂N型源极的下方且通过第一接触金属与源极金属层连接。方法是在衬底生长N型外延层，蚀出深沟槽，制作第一、第二条形P型体区，再制作沟槽栅、第一P型体区、重掺杂N型源极，然后淀积铝形成源极金属层和第一接触金属，最后制作N型漏极。本发明能有效改善体二极管的反向恢复特性并能提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105914233B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610365220.3
申请日：2016-05-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法。晶体管含N型漏极，N型漏极上设有N型外延层，再设第一、二条形P型体区、第一P型体区，在第一P型体区内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极及第二P型体区，在沟槽栅的上端设有第一场氧化层，重掺杂N型源极位于第一P型体区的上部且限制在沟槽栅之间，第二P型体区位于重掺杂N型源极的下方且通过第一接触金属与源极金属层连接。方法是在衬底生长N型外延层，蚀出深沟槽，制作第一、第二条形P型体区，再制作沟槽栅、第一P型体区、重掺杂N型源极，然后淀积铝形成源极金属层和第一接触金属，最后制作N型漏极。本发明能有效改善体二极管的反向恢复特性并能提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN106505101A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610911892.X
申请日：2016-10-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/0615 , H01L29/0626 , H01L29/7393 , H01L29/7436
Abstract: 一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底，P型衬底上设埋氧，再设N型外延层且被隔离氧化层分隔成第一、二、三N型外延层，第三N型外延层上部设第二P型体区与N型缓冲层，第二P型体区内设N型发射极与叉指型第二重掺杂P区，第二P型体区上设栅氧化层、多晶硅栅极，N型缓冲层内设P型集电极且作为器件的阳极，上方设阳极金属层；第二N型外延层上部至少设2个第一P型体区并在其中分别设N型MOS管；第一N型外延层上部至少设2个串联的二极管且相邻二极管间设隔离氧化层；N型发射极与所有N型漏极连接，第二重掺杂P区与串联二极管的阳极连接，N型源极、第一重掺杂P区及串联二极管的阴极连接作为器件的阴极。
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