一种提高原边反馈反激电源在CCM下输出恒压稳定性的方法

    公开(公告)号:CN105978344B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201610399644.1

    申请日:2016-06-06

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明在现有原边反馈式反激电源CCM恒压控制的基础上,提供了一种提高原边反馈反激电源在CCM下输出恒压稳定性的方法,该方法结合数字反馈技术,提出了一种带有数字逼近式模式检测策略和自适应参数调整策略的恒压控制。通过引入逼近式模式检测,有效区分DCM与CCM两种模式,提高不同模式下采样的稳定性;通过自适应调整参考电压和PI参数,大负载变化时,充分利用目前CCM稳态恒压的优势,阶梯式修正CCM采样误差,消除了CCM参考电压硬调节所造成的恒压不稳定。本发明能够让PSR反激电源在大功率全负载范围内满足恒压精度为±1%,并实现大功率CCM应用的稳定负载调整,进一步扩大了原边反馈反激式开关电源的普适性。

    一种提高原边反馈反激电源在CCM下输出恒压稳定性的方法

    公开(公告)号:CN105978344A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610399644.1

    申请日:2016-06-06

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: H02M3/33515 H02M1/14 H02M3/33523 H02M2001/0012

    Abstract: 本发明在现有原边反馈式反激电源CCM恒压控制的基础上,提供了一种提高原边反馈反激电源在CCM下输出恒压稳定性的方法,该方法结合数字反馈技术,提出了一种带有数字逼近式模式检测策略和自适应参数调整策略的恒压控制。通过引入逼近式模式检测,有效区分DCM与CCM两种模式,提高不同模式下采样的稳定性;通过自适应调整参考电压和PI参数,大负载变化时,充分利用目前CCM稳态恒压的优势,阶梯式修正CCM采样误差,消除了CCM参考电压硬调节所造成的恒压不稳定。本发明能够让PSR反激电源在大功率全负载范围内满足恒压精度为±1%,并实现大功率CCM应用的稳定负载调整,进一步扩大了原边反馈反激式开关电源的普适性。

    一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN105914233A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201610365220.3

    申请日:2016-05-26

    Applicant: 东南大学

    CPC classification number: H01L29/78 H01L29/4232 H01L29/66477

    Abstract: 一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法。晶体管含N型漏极,N型漏极上设有N型外延层,再设第一、二条形P型体区、第一P型体区,在第一P型体区内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极及第二P型体区,在沟槽栅的上端设有第一场氧化层,重掺杂N型源极位于第一P型体区的上部且限制在沟槽栅之间,第二P型体区位于重掺杂N型源极的下方且通过第一接触金属与源极金属层连接。方法是在衬底生长N型外延层,蚀出深沟槽,制作第一、第二条形P型体区,再制作沟槽栅、第一P型体区、重掺杂N型源极,然后淀积铝形成源极金属层和第一接触金属,最后制作N型漏极。本发明能有效改善体二极管的反向恢复特性并能提高器件的可靠性。

    一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN105914233B

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201610365220.3

    申请日:2016-05-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种高鲁棒性快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法。晶体管含N型漏极,N型漏极上设有N型外延层,再设第一、二条形P型体区、第一P型体区,在第一P型体区内设有至少2个沟槽栅、重掺杂N型源极及第二P型体区,在沟槽栅的上端设有第一场氧化层,重掺杂N型源极位于第一P型体区的上部且限制在沟槽栅之间,第二P型体区位于重掺杂N型源极的下方且通过第一接触金属与源极金属层连接。方法是在衬底生长N型外延层,蚀出深沟槽,制作第一、第二条形P型体区,再制作沟槽栅、第一P型体区、重掺杂N型源极,然后淀积铝形成源极金属层和第一接触金属,最后制作N型漏极。本发明能有效改善体二极管的反向恢复特性并能提高器件的可靠性。

Patent Agency Ranking