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公开(公告)号：CN105702720A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610061042.5
申请日：2016-01-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/0603
Abstract: 一种绝缘栅双极型晶体管结构，包括集电极金属、P型集电区、N型基极区，N型基极区表面有N型载流子存储层及沟槽柵，沟槽柵将N型载流子存储层分割成条状，条状N型载流子存储层表面存在均匀分布的块状P型体区，块状载流子存储层上设有与第一类型柵氧化层连接的第二类型柵氧化层，第二类型柵氧化层上设有与第一多晶硅柵连接的第二多晶硅柵，块状P型体区表面存在P型源区、N型源区，并与发射极金属连接，其特征在于，块状载流子存储层表面设有与块状P型体区连接的轻掺杂浅P阱，在器件导通时，栅极加正栅压，轻掺杂浅P阱被完全耗尽，实现注入效率增强效应，使器件具有较小的导通压降；在器件关断时，轻掺杂浅P阱不被完全耗尽，形成导电沟道，加快器件关断速度。
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公开(公告)号：CN106024892A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610363982.X
申请日：2016-05-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0688 , H01L29/66409
Abstract: 一种高雪崩耐量的空穴电流分流型功率晶体管及其制备方法，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底上设有N型掺杂硅外延层，N型掺杂硅外延层表面设有沟槽，在沟槽内设有场氧层，在场氧层内设有屏蔽栅和栅极，栅极位于屏蔽栅的两侧且位于场氧层的顶部，在栅极与屏蔽栅之间设有绝缘介质层，同时，在栅极与外延层之间设有栅氧层，外延层的表面设有P型体区，P型体区的表面设有P型源区和N型源区，器件表面覆盖绝缘介质层，源极金属通过绝缘介质层上的通孔与重掺杂N型源区和重掺杂P型源区接触，屏蔽栅还与源极金属接触，在场氧层内设有位于栅极下方的P型多晶硅导电沟道，P型多晶硅导电沟道的一端连于N型掺杂硅外延层，另一端连于屏蔽栅。
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公开(公告)号：CN105702720B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610061042.5
申请日：2016-01-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种绝缘栅双极型晶体管结构，包括集电极金属、P型集电区、N型基极区，N型基极区表面有N型载流子存储层及沟槽柵，沟槽柵将N型载流子存储层分割成条状，条状N型载流子存储层表面存在均匀分布的块状P型体区，块状载流子存储层上设有与第一类型柵氧化层连接的第二类型柵氧化层，第二类型柵氧化层上设有与第一多晶硅柵连接的第二多晶硅柵，块状P型体区表面存在P型源区、N型源区，并与发射极金属连接，其特征在于，块状载流子存储层表面设有与块状P型体区连接的轻掺杂浅P阱，在器件导通时，栅极加正栅压，轻掺杂浅P阱被完全耗尽，实现注入效率增强效应，使器件具有较小的导通压降；在器件关断时，轻掺杂浅P阱不被完全耗尽，形成导电沟道，加快器件关断速度。
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公开(公告)号：CN105552110A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510964464.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/0611 , H01L29/0688 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 一种高雪崩耐量的功率半导体晶体管结构，包括，兼做漏区的N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，N型外延层表面设有P型条形体区，P型条形体区表面设有重掺杂N型源区和重掺杂P型源区，在N型外延层上设有绝缘栅氧化层，在绝缘栅氧化层上设有导电多晶硅，所述导电多晶硅位于相邻P型条形体区之间区域的上方且两侧分别覆盖相邻P型条形体区，所述导电多晶硅上设有绝缘介质层，重掺杂P型体区和重掺杂N型源区上连接有源极金属，其特征在于，P型条形体区向N型外延层扩展形成多个P型弓形体区，P型弓形体区均匀分布于P型条形体区，且嵌入N型外延层中，本发明保留传统功率半导体晶体管制备方法，提高雪崩耐量，缩小芯片面积，成本较低。
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