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公开(公告)号：CN103594302B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310580290.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光电阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光电阴极，GaAs纳米线材料激活成光电阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光电阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。
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公开(公告)号：CN104752117A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510093090.8
申请日：2015-03-03
Applicant: 东华理工大学
CPC classification number: H01J1/34 , H01J9/12 , H01J2201/34
Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的NEA电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs-O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，从而扩展变带隙AlGaAs/GaAs材料应用；纳米线阵列结构提高光电发射效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108766857A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810427948.3
申请日：2018-05-07
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限于有源区，大幅度提升入射光的吸收率，降低光电子输运距离，还可以降低表面光反射导致的有害光电发射对电子束品质的影响，从而有效提升量子效率和电子束的品质。GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源可以采用纳米压印刻蚀、自组装纳米球刻蚀、电子束光刻、聚焦离子束刻蚀等工艺进行制备，工艺技术成熟，稳定性好，可应用于大型电子加速器、微光夜视、扫描电镜等领域。
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公开(公告)号：CN104752117B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510093090.8
申请日：2015-03-03
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 一种垂直发射AlGaAs/GaAs纳米线的负电子亲和势电子源，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上顺序生长Al组分由高到底呈线性递减至0的变带隙AlGaAs发射层及GaAs发射层，而后利用反应离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层，再在超高真空系统中进行Cs/O激活以在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层上形成Cs‑O激活层；且在变带隙AlGaAs/GaAs纳米线阵列发射层沿垂直方向形成有内建电场，通过内建电场控制纳米线中光电子定向漂移并发射，有效抑制侧面光电发射，提高光电发射效率，从而有利于扩展纳米线负电子亲和势电子源的应用范围。
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公开(公告)号：CN108766857B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810427948.3
申请日：2018-05-07
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源，属于光电阴极技术领域，结构由下至上依次包括P型半导体衬底、纳米光学共振发射层有源区和表面激活层。利用纳米光学共振结构与入射光作用产生的光学共振效应，将光场和电荷局限于有源区，大幅度提升入射光的吸收率，降低光电子输运距离，还可以降低表面光反射导致的有害光电发射对电子束品质的影响，从而有效提升量子效率和电子束的品质。GaAs纳米光学共振结构光电阴极电子源可以采用纳米压印刻蚀、自组装纳米球刻蚀、电子束光刻、聚焦离子束刻蚀等工艺进行制备，工艺技术成熟，稳定性好，可应用于大型电子加速器、微光夜视、扫描电镜等领域。
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公开(公告)号：CN103594302A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310580290.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 东华理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs纳米线阵列光阴极及其制备方法，该阴极由GaAs衬底层、GaAs纳米线阵列发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的GaAs衬底上，采用干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列材料，在超高真空激活系统中制备GaAs纳米线阵列光阴极，GaAs纳米线材料激活成光阴极后，将在整个纳米线周围吸附一层Cs-O层，产生负电子亲和势，从而在GaAs纳米线上形成一个中间高，四周低的能带结构。纳米线阵列结构有利于光子吸收，而纳米线光阴极能带结构则有利于光电子发射，从而提高材料的光子吸收和电子发射效率。
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公开(公告)号：CN215298598U
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202121098469.5
申请日：2021-05-21
Applicant: 东华理工大学
IPC: G09B23/18
Abstract: 一种基于FPGA与数字电路的通用实验口袋机，其中，所述箱体内上层设置有缓冲层，所述箱体内下层设置有载板，所述载板一端布置有载板开关与直流稳压电源，所述FPGA核心板布置在载板开关下方，所述扩展模块布置在FPGA核心板下方，所述载板另一端上部布置有面包板，所述面包板下方布置有导线放置区；并在FPGA核心板上设置有与FPGA芯片连接的复位电路、CLOCK时钟电路、配置芯片模块、存储器模块、接口模块、流水灯模块、独立按键模块、LED数码管显示模块、蜂鸣器模块、串口通信模块及DC电源模块；本实用新型体积小、重量轻、便于携带、硬件模块全面、结构简单、设计合理，便于FPGA与数字电路实验操作，维护方便。
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