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公开(公告)号：CN119563227A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380054367.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种能够改善在基板上形成的含金属抗蚀剂膜的表面粗糙度的技术。基板处理方法包括：提供包含底膜和在底膜上形成图案的含金属抗蚀剂膜的基板的工序(ST1)；在含金属抗蚀剂膜的表面形成含金属膜的工序(ST2)；和将含金属膜的至少一部分和含金属膜的残渣一起除去的工序(ST3)。
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公开(公告)号：CN119816920A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380066539.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法是基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；工序（b），在基底膜上形成第一膜，其中，第一膜由包含EUV吸收截面积比基底膜高的元素的材料构成；和工序（c），在第一膜上形成第二膜，其中，第二膜是含金属抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN114649182A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111529791.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法，抑制微粒的产生并且对腔室内迅速地进行预涂。基板处理方法包括：工序(a)，在配置于腔室内的腔室内部件形成预涂膜；以及工序(b)，在工序(a)之后，对1个以上的基板进行处理。工序(a)包括：工序(a1)，不使用等离子体地在所述腔室内部件形成第一膜，或使用在能够抑制所述腔室内部件的溅射的条件下生成的第一等离子体来在所述腔室内部件形成第一膜；以及工序(a2)，使用第二等离子体在所述第一膜的表面形成第二膜。
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公开(公告)号：CN119816921A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380066553.4
申请日：2023-09-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蚀剂膜上形成以与第一抗蚀剂膜不同的组成比含有金属的第二抗蚀剂膜（ST22）。
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公开(公告)号：CN119585842A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054369.8
申请日：2023-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在基板支撑部上提供具有底膜和底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜包括第一区域和第二区域；和(b)对含金属抗蚀剂膜进行显影而从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序，(b)的工序包括：(b1)相对于第一区域以第一选择比除去第二区域的工序；和(b2)相对于第一区域以不同于第一选择比的第二选择比进一步除去第二区域的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117832077A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311221266.4
申请日：2023-09-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。提供一种蚀刻方法。该方法包含：(a)准备基板的工序，所述基板具备具有凹部的含硅膜和设置在含硅膜上且具有露出凹部的开口的掩模；(b)在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜的工序；以及(c)使用由包含含氟气体和含钨气体的处理气体生成的等离子体，在含碳膜上形成含有钨的保护膜并且在凹部蚀刻含硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN119923708A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380066588.8
申请日：2023-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：对基片的含金属抗蚀剂进行湿法显影的工序(a)；和对含金属抗蚀剂进行干法显影的工序(b)。含金属抗蚀剂包括已曝光的第一区域和没有曝光的第二区域。在工序(a)中，第一区域和第二区域中的一个区域在该一个区域的厚度方向上被部分去除。在工序(b)中，上述一个区域的剩余部分被去除。
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公开(公告)号：CN119816785A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063356.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 提供了在显影图案中抑制残渣的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供具有底膜和形成在底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；和(b)向腔室供给处理气体，对基板进行显影，从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序。(b)的工序包括：(b1)将基板或基板支撑部的温度控制在第一温度而进行显影的工序；和(b2)将基板或基板支撑部的温度控制在与第一温度不同的第二温度而进行显影的工序。
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公开(公告)号：CN119137713A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380037658.7
申请日：2023-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在等离子体处理方法中，(a)提供基片，所述基片具有包含第一材料的第一区域和包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。(b)供给用于对第一区域的表面进行改性的改性气体和含碳前体。(c)利用通过供给第一高频功率而从包含改性气体和含碳前体的混合气体生成的等离子体，对第一区域的表面进行改性而形成改性层。(d)停止供给第一高频功率或供给比第一高频功率小的第二高频功率，使改性层与含碳前体进行反应，从而去除改性层。
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公开(公告)号：CN117855088A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311287847.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 提供抑制蚀刻的形状异常的技术。本公开涉及的等离子体处理系统具备具有第一基板支持部的第一处理腔室、具有第二基板支持部且与第一处理腔室不同的第二处理腔室、与第一处理腔室以及第二处理腔室连接且具有搬运装置的搬运腔室和控制部，控制部执行如下处理：(a)将基板配置在第一处理腔室的第一基板支持部上，其具备具有凹部的含硅膜和含硅膜上的掩模，掩模具有露出凹部的开口；(b)在第一处理腔室内，在规定凹部的含硅膜的侧壁上形成含碳膜；(c)从第一处理腔室经由搬运腔室向第二处理腔室搬运基板，在第二基板支持部上配置基板；(d)在第二处理腔室内，使用由包含氟化氢气体的第一处理气体生成的等离子体蚀刻形成含碳膜的凹部的底部。
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