-
公开(公告)号：CN114496043A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111203478.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了非易失性存储器件、包括其的存储装置以及其读取方法。所述非易失性存储器件从控制器接收读取命令和地址，并且响应于所述读取命令执行数据恢复读取操作。在所述数据恢复读取操作中，对多个干扰源组中的每一个干扰源组重复地执行从连接到与根据所述地址选择的字线相邻的字线的存储单元获得干扰源组信息的操作以及恢复与连接到根据所述地址选择的字线的存储单元中的所获得的干扰源组信息相对应的数据的操作。
-
公开(公告)号：CN114255797A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110966900.1
申请日：2021-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置及对其单元进行计数的方法。在对非易失性存储器装置中的存储器单元的数量进行计数的方法中，将用于单元计数操作的测量窗的测量范围和多个测量区间分别设置为第一范围和多个第一区间。所述多个测量区间包括在测量范围中。基于测量窗对包括在存储器单元阵列的第一区域中的第一存储器单元执行第一感测操作。在测量范围的宽度和多个测量区间中的每个的宽度被保持的同时，执行用于移位测量窗的第一移位操作。基于通过第一移位操作移位的测量窗对第一存储器单元执行第二感测操作。基于第一感测操作的结果和第二感测操作的结果来获得第一存储器单元的最终计数值。
-
公开(公告)号：CN114203217A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110838978.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种通过使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作的存储设备。所述存储设备利用特定时间差控制感测偶数页面缓冲器电路的位线的感测时间点以及感测奇数页面缓冲器电路的位线的感测时间点，并且以偶数感测和奇数感测的所述顺序执行奇偶感测(EOS)操作。所述存储设备执行两步EOS操作，并根据所述两步EOS操作的结果对选定存储单元执行主感测操作。
-
公开(公告)号：CN118072774A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311029260.7
申请日：2023-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器装置包括第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层包括字线、位线和存储器单元阵列，存储器单元阵列包括彼此间隔开的一个或多个存储器块、位于一个或多个存储器块之间的一个或多个伪块、以及通孔穿通区域。第二半导体层位于包括控制电路的第一半导体层下方。控制电路基于与通孔穿通区域在第一方向上的相对距离将一个或多个伪块中的每一个划分为直接接触通孔穿通区域的相邻的子块、以及非相邻的子块，并且使用非相邻的子块中的每一个作为子块来存储数据。
-
公开(公告)号：CN114520017A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111375557.X
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种用于对非易失性存储设备中包括的多个存储单元中的至少一个存储单元进行编程的方法，至少一个存储单元包括字线和位线，该方法包括：分别基于第一条件和第二条件执行第一编程和验证操作以及第二编程和验证操作，其中，每个编程和验证操作包括：由非易失性存储设备中包括的电压生成器生成编程电压和位线电压；以及分别向字线和位线提供编程电压和位线电压，其中，编程电压和位线电压各自的电压电平和电压施加时间分别与第一条件或第二条件相对应，其中，第一条件不同于第二条件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114446359A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111070540.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列以及控制电路，所述存储单元阵列包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每个单元串包括串联连接在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元以及接地选择晶体管；所述控制电路被配置为：对所述多个存储单元当中的选定存储单元执行编程操作，并且在验证阶段中包括的预充电阶段中对包括所述选定存储单元的选定单元串进行预充电，其中，当向连接到所述选定存储单元的选定位线施加第一预充电电压时，所述选定单元串被预充电。
-
公开(公告)号：CN114242140A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111006312.X
申请日：2021-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置、其编程方法和具有其的存储设备。所述对非易失性存储装置进行编程的方法包括：在编程循环中执行单脉冲编程操作；确定在编程循环中条件是否被满足；以及当条件被满足时，在下一个编程循环中执行多脉冲编程操作。单脉冲编程操作包括施加第一编程脉冲和施加多个验证脉冲，多脉冲编程操作包括施加第二编程脉冲、施加第三编程脉冲和施加多个验证脉冲，并且第二编程脉冲和第三编程脉冲的电平均比第一编程脉冲的电平低。
-
公开(公告)号：CN107093459B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201710154079.7
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器设备及其读取方法和存储器系统。一种在非易失性存储器设备上执行读取操作的方法，包括：接收读取命令；接收地址；检测读取使能信号的跃迁；基于所述读取使能信号的跃迁来生成选通信号；读取与所接收的地址对应的数据；以及在所述选通信号来回切换预定次数后输出所读取的数据。
-
公开(公告)号：CN103928052B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201410018340.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储系统及其操作方法。一种操作包括非易失性存储装置和控制所述非易失性存储装置的存储控制器的的方法包括：以包括多个扇区的页为单位从存储单元阵列读取数据；以页的扇区为单位对读取数据执行纠错解码；选择包括至少一个不可纠正的错误的至少一个目标扇区，并且选择至少一个通过扇区，其中，通过扇区的读取数据的所有错误通过纠错解码是可纠正的；在对连接到所述至少一个目标扇区的目标位线预充电的同时，禁止对连接到所述至少一个通过扇区的位线预充电；以及对所述至少一个目标扇区中的数据执行读取重试操作。
-
公开(公告)号：CN118173148A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311679764.3
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器装置和存储器装置的擦除方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列中具有包括目标存储器块的多个存储器块。提供了电压生成器，电压生成器被配置为生成擦除电压和行线电压，擦除电压和行线电压被提供给将被执行擦除操作的目标存储器块。提供了控制逻辑，控制逻辑被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。此外，在操作期间，擦除电压被提供给与目标存储器块相关联的位线和共源极线中的至少一条，并且在擦除电压被提供给目标存储器块的位线和共源极线中的所述至少一条之前，被提供擦除电压的晶体管的栅极线被预充电。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.025 seconds)
