公开(公告)号：CN114446359A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111070540.3

申请日：2021-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳秀 ,  金炯坤 ,  朴径秀 ,  白世振 ,  尹相范

IPC: G11C16/24 ,  G11C16/34

Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列以及控制电路，所述存储单元阵列包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每个单元串包括串联连接在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元以及接地选择晶体管；所述控制电路被配置为：对所述多个存储单元当中的选定存储单元执行编程操作，并且在验证阶段中包括的预充电阶段中对包括所述选定存储单元的选定单元串进行预充电，其中，当向连接到所述选定存储单元的选定位线施加第一预充电电压时，所述选定单元串被预充电。

公开(公告)号：CN114242140A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111006312.X

申请日：2021-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张俊锡 ,  金炯坤 ,  尹相范 ,  金东煜 ,  朴径秀 ,  白世振

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14

Abstract: 提供了非易失性存储装置、其编程方法和具有其的存储设备。所述对非易失性存储装置进行编程的方法包括：在编程循环中执行单脉冲编程操作；确定在编程循环中条件是否被满足；以及当条件被满足时，在下一个编程循环中执行多脉冲编程操作。单脉冲编程操作包括施加第一编程脉冲和施加多个验证脉冲，多脉冲编程操作包括施加第二编程脉冲、施加第三编程脉冲和施加多个验证脉冲，并且第二编程脉冲和第三编程脉冲的电平均比第一编程脉冲的电平低。