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公开(公告)号：CN104810054B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201510037229.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明提供了控制目标模块的写入均衡的电路及其方法，该方法包括以下步骤：在均衡参考表中注册与多个存储器模块的类型相对应的多个数据相关信号参考延迟值；将写入均衡相关信号发送至安装在目标板上的第一类型的存储器模块；检测时钟信号与从安装的存储器模块上的存储器装置接收的多个数据相关信号之间的多个时序偏差；以及根据与安装的存储器模块相对应的数据相关信号参考延迟值，在一个时序偏差处在第一范围以外的情况下，对发送至安装的存储器模块的一个对应的存储器装置的数据相关信号的延迟进行调整。
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公开(公告)号：CN1519573B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200310123279.4
申请日：2003-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R31/318536 , G01R31/318541 , G01R31/318555 , G01R31/318558
Abstract: 一种包括具有多个输出端口、多个输入端口和向量输入端的核心块的集成电路器件。核心块响应来自输入端口的输出数据，产生核心内部数据。核心块配置为在扫描测试期间输出核心内部数据，并响应核心内部数据或来自向量输入端的测试向量串行输入数据，为每个输出端口有选择地产生核心输出数据。输入侧子逻辑电路单元配置为适用于动态仿真测试，并耦接到核心块的输入端口。输入侧子逻辑电路单元响应输入到第一子逻辑电路单元的数据，为多个输入端口产生子数据。核心块和第一子逻辑电路单元之间的多路复用器(MUX)单元响应MUX控制信号，有选择地提供子数据或输出数据作为核心块的输入端口的输入。还提供了测试集成电路器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1825457A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510121674.8
申请日：2005-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/10
CPC classification number: G11B7/0912
Abstract: 提供一种利用切向推挽(TPP)信号产生例如8到14调制(EFM)信号的调制信号的装置和方法。该装置可以包括：检测TPP信号的峰点的TPP峰点检测器；和通过将所检测的TPP信号的峰点判定为调制信号的边沿而产生调制信号的信号发生器。该装置可以判定TPP信号的峰点作为调制信号的边沿以产生调制信号，由此减少或者最小化由标记或凹坑的不对称性引起的定时抖动。
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公开(公告)号：CN104810054A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510037229.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明提供了控制目标模块的写入均衡的电路及其方法，该方法包括以下步骤：在均衡参考表中注册与多个存储器模块的类型相对应的多个数据相关信号参考延迟值；将写入均衡相关信号发送至安装在目标板上的第一类型的存储器模块；检测时钟信号与从安装的存储器模块上的存储器装置接收的多个数据相关信号之间的多个时序偏差；以及根据与安装的存储器模块相对应的数据相关信号参考延迟值，在一个时序偏差处在第一范围以外的情况下，对发送至安装的存储器模块的一个对应的存储器装置的数据相关信号的延迟进行调整。
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公开(公告)号：CN1519573A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310123279.4
申请日：2003-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R31/318536 , G01R31/318541 , G01R31/318555 , G01R31/318558
Abstract: 一种包括具有多个输出端口、多个输入端口和向量输入端的核心块的集成电路器件。核心块响应来自输入端口的输出数据，产生核心内部数据。核心块配置为在扫描测试期间输出核心内部数据，并响应核心内部数据或来自向量输入端的测试向量串行输入数据，为每个输出端口有选择地产生核心输出数据。输入侧子逻辑电路单元配置为适用于动态仿真测试，并耦接到核心块的输入端口。输入侧子逻辑电路单元响应输入到第一子逻辑电路单元的数据，为多个输入端口产生子数据。核心块和第一子逻辑电路单元之间的多路复用器(MUX)单元响应MUX控制信号，有选择地提供子数据或输出数据作为核心块的输入端口的输入。还提供了测试集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN103650173A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180072081.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件，其防止电子的外溢同时增加进入有源层内部的空穴的浓度，从而改善发光效率。本发明包括：n型半导体层；有源层，其形成在所述n型半导体层上并且在其中交替层叠有至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层；电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，在所述多层结构中层叠有具有不同能带间隙的三层，其中在所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及p型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。
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公开(公告)号：CN1825457B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200510121674.8
申请日：2005-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/10
CPC classification number: G11B7/0912
Abstract: 提供一种利用切向推挽(TPP)信号产生例如8到14调制(EFM)信号的调制信号的装置和方法。该装置可以包括：检测TPP信号的峰点的TPP峰点检测器；和通过将所检测的TPP信号的峰点判定为调制信号的边沿而产生调制信号的信号发生器。该装置可以判定TPP信号的峰点作为调制信号的边沿以产生调制信号，由此减少或者最小化由标记或凹坑的不对称性引起的定时抖动。
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