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公开(公告)号:CN1519573A
公开(公告)日:2004-08-11
申请号:CN200310123279.4
申请日:2003-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R31/318536 , G01R31/318541 , G01R31/318555 , G01R31/318558
Abstract: 一种包括具有多个输出端口、多个输入端口和向量输入端的核心块的集成电路器件。核心块响应来自输入端口的输出数据,产生核心内部数据。核心块配置为在扫描测试期间输出核心内部数据,并响应核心内部数据或来自向量输入端的测试向量串行输入数据,为每个输出端口有选择地产生核心输出数据。输入侧子逻辑电路单元配置为适用于动态仿真测试,并耦接到核心块的输入端口。输入侧子逻辑电路单元响应输入到第一子逻辑电路单元的数据,为多个输入端口产生子数据。核心块和第一子逻辑电路单元之间的多路复用器(MUX)单元响应MUX控制信号,有选择地提供子数据或输出数据作为核心块的输入端口的输入。还提供了测试集成电路器件的方法。
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公开(公告)号:CN1815573A
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN200510129762.2
申请日:2005-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 郑胜在
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045
CPC classification number: G11B20/10527 , G11B7/00375 , G11B7/0045 , G11B7/00745 , G11B7/0946 , G11B19/041 , G11B20/10 , G11B20/1217 , G11B20/1833 , G11B27/105 , G11B27/11 , G11B2020/10675 , G11B2020/10814 , G11B2220/218 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562
Abstract: 在一种用于向光学介质写入数据的装置和方法中,可以在光学介质写入操作被异常中断的情况下,以高可靠性和精度恢复该光学介质写入操作。通过记录写入到介质的最后数据段的数据标识符和数据标识符迟延值,该恢复甚至在介质的物理地址被不可挽回地损害的情况下也是可能的。本发明的装置和方法对于单次写入介质的写入操作尤其有利,因为它们减少了丢弃介质的频率。
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公开(公告)号:CN101630704A
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200910159777.1
申请日:2009-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/075 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/056 , H01L31/076 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。该制造方法包括:在基板上沉积透明导电层;图案化透明导电层;形成半导体层,该半导体层沉积在所图案化的透明导电层上;图案化半导体层;将金属粉涂覆在图案化的半导体层上;在涂覆有金属粉的半导体层上形成后电极层;以及图案化后电极层和半导体层。该方法可用于制造具有改良的光吸收效率的太阳能电池,
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公开(公告)号:CN100514451C
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200510129762.2
申请日:2005-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 郑胜在
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045
CPC classification number: G11B20/10527 , G11B7/00375 , G11B7/0045 , G11B7/00745 , G11B7/0946 , G11B19/041 , G11B20/10 , G11B20/1217 , G11B20/1833 , G11B27/105 , G11B27/11 , G11B2020/10675 , G11B2020/10814 , G11B2220/218 , G11B2220/2537 , G11B2220/2562
Abstract: 在一种用于向光学介质写入数据的装置和方法中,可以在光学介质写入操作被异常中断的情况下,以高可靠性和精度恢复该光学介质写入操作。通过记录写入到介质的最后数据段的数据标识符和数据标识符迟延值,该恢复甚至在介质的物理地址被不可挽回地损害的情况下也是可能的。本发明的装置和方法对于单次写入介质的写入操作尤其有利,因为它们减少了丢弃介质的频率。
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公开(公告)号:CN117795455A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202280054551.9
申请日:2022-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据一个实施例的电子设备,包括:显示器;壳体,形成电子设备的侧表面和后表面的至少一部分;玻璃,设置在显示器上并且形成电子设备的正面,玻璃包括暴露于电子设备外部的第一表面和不包括第一表面的第二表面;以及屏蔽印刷层,形成在玻璃的第二表面上的与显示器的边缘和侧表面之间的空间对应的区域中,其中,玻璃包括平坦部分和从平坦部分朝向侧表面弯曲的弯曲部分,玻璃的弯曲部分的与侧表面相邻的一端包括具有弯曲部分的曲率的第一区域、与第一区域垂直并被屏蔽印刷层覆盖的第二区域、形成在第一区域和第二区域之间的倒角区域,倒角区域基于第一区域的高度与倒角区域基于第二区域的长度的比率具有在2到4范围内的值。通过说明书确定的其他各种实施例是可能的。
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公开(公告)号:CN1519573B
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200310123279.4
申请日:2003-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R31/318536 , G01R31/318541 , G01R31/318555 , G01R31/318558
Abstract: 一种包括具有多个输出端口、多个输入端口和向量输入端的核心块的集成电路器件。核心块响应来自输入端口的输出数据,产生核心内部数据。核心块配置为在扫描测试期间输出核心内部数据,并响应核心内部数据或来自向量输入端的测试向量串行输入数据,为每个输出端口有选择地产生核心输出数据。输入侧子逻辑电路单元配置为适用于动态仿真测试,并耦接到核心块的输入端口。输入侧子逻辑电路单元响应输入到第一子逻辑电路单元的数据,为多个输入端口产生子数据。核心块和第一子逻辑电路单元之间的多路复用器(MUX)单元响应MUX控制信号,有选择地提供子数据或输出数据作为核心块的输入端口的输入。还提供了测试集成电路器件的方法。
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公开(公告)号:CN102769020A
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN201210106953.7
申请日:2012-04-12
IPC: H01L27/144
CPC classification number: H01L31/028 , H01L31/076 , Y02E10/547 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种光电转换装置,所述装置包括:第一光电转换单元,在基底上并具有第一能带隙;第二光电转换单元,具有与第一能带隙不同的第二能带隙,第二光电转换单元在第一光电转换单元上;中间单元,在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间,中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件,第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率,第一中间层具有第一折射率,第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率。
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