半导体封装件及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118198008A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202311239220.5

    申请日:2023-09-25

    Abstract: 提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括:第一芯片,其包括第一衬底,第一衬底上的第一布线层和连接至第一布线层并且从第一衬底的下表面突出的穿通电极;双间隙填充层,其覆盖第一芯片的侧表面和下表面和穿通电极的突出部分并且具有双层结构;设置在第一芯片和双间隙填充层上的第二芯片,第二芯片包括第二布线层和第二布线层上的第二衬底,并且第二芯片通过混合接合接合至第一芯片;以及至少一个凸块,其在第一芯片的下表面上并且连接至穿通电极。

    半导体封装件及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115966544A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202210976954.0

    申请日:2022-08-15

    Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括:再分布基板,所述再分布基板包括有机电介质层和位于所述有机电介质层中的金属图案;以及半导体芯片,所述半导体芯片位于所述再分布基板上。所述有机电介质层在第一波长范围下具有等于或大于大约0.04的最大吸光度,并且在所述第一波长范围下具有等于或大于大约4×103的荧光强度。所述第一波长范围为大约450nm至大约650nm。

    光源模块、具有光源模块的显示设备及控制器装置

    公开(公告)号:CN106711134A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611042185.8

    申请日:2016-11-11

    Abstract: 提供了一种光源模块、显示设备和控制器装置,所述显示设备可以包括光源模块,所述光源模块可包括:基底,具有多个芯片安装区域,所述多个芯片安装区域均具有设置于其中的连接垫;多个半导体发光器件,电结合至分开的连接垫。显示设备可以包括基底上的黑矩阵并且具有与芯片安装区域的图案对应的多个孔。半导体发光器件可以位于分开的各个孔中,以电结合至分开的连接垫。显示设备可以包括单元像素,其中每个单元像素包括多个相邻的半导体发光器件。半导体发光器件可以可移动地结合至分开的连接垫,半导体发光器件可以从连接垫可互换地调换。

    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104241486A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410267670.X

    申请日:2014-06-16

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。

    制造半导体封装件的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118448271A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202311473878.2

    申请日:2023-11-07

    Abstract: 提供了一种制造半导体封装件的方法,所述方法可以包括:提供基底;形成种子层以覆盖基底的顶表面;在种子层上顺序地堆叠牺牲层和光可成像层;形成穿透孔以穿透光可成像层和牺牲层并暴露种子层;在穿透孔中形成导电柱;执行第一工艺以去除牺牲层的至少一部分;执行第二工艺以去除光可成像层;以及图案化或去除种子层。

    树脂组合物及使用该树脂组合物的绝缘膜和产品

    公开(公告)号:CN110467799A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910370613.7

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 本发明提供一种用于印刷电路板和集成电路(IC)封装件的树脂组合物以及使用该树脂组合物的绝缘膜和产品。所述树脂组合物包括:包含环氧基的环氧树脂复合物,基于100重量份的环氧树脂复合物,所述环氧树脂复合物包含5至20重量份的双酚A型环氧树脂、30至60重量份的甲酚酚醛清漆环氧树脂、20至35重量份的磷基阻燃环氧树脂以及5至30重量份的橡胶改性环氧树脂;氨基三嗪类硬化剂;硬化促进剂;填料;以及基于100重量份的所述环氧树脂复合物,0.01至5重量份的表面改性剂。

    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104241486B

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201410267670.X

    申请日:2014-06-16

    CPC classification number: H01L33/42 H01L33/38 H01L33/405 H01L33/46

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。

    半导体封装体和制造其的方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119852267A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202410947408.3

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 半导体封装体包括:包括第一焊盘的第一半导体芯片;第二半导体芯片,所述第二半导体芯片包括设置在面对所述第一半导体芯片的前表面上并且与所述第一焊盘接触的第二焊盘、以及电连接到所述第二焊盘并延伸到与所述前表面相反的后表面的贯通电极;覆盖相应的第一和第二半导体芯片的至少部分且具有面对所述第一和第二半导体芯片的内表面和与所述内表面相反的外表面的介电层;以及在所述介电层的所述外表面的一部分上且电连接到所述贯通电极的隆起结构体。所述介电层包括无机颗粒和聚合物链,所述聚合物链结合到相应的无机颗粒的至少一侧并且经由所述无机颗粒朝向所述内表面和所述外表面连接。

    包括绝缘材料的半导体封装件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119695028A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411243566.7

    申请日:2024-09-05

    Abstract: 一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:再分布结构,所述再分布结构包括包含铜(Cu)的再分布层和围绕所述再分布层的绝缘层;半导体芯片,所述半导体芯片安装在所述再分布结构上并包括连接焊盘;内部连接端子,所述内部连接端子位于所述再分布结构和所述半导体芯片之间并且将所述再分布层电连接到所述连接焊盘;外部连接端子,所述外部连接端子附接在所述再分布结构下方并电连接到所述再分布层;以及密封材料,所述密封材料被配置为在所述再分布结构上围绕所述半导体芯片和所述内部连接端子。所述绝缘层包括根据下式的TC指数K为20至100的绝缘材料:[TC指数]#imgabs0#

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