公开(公告)号：CN105870185A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610081274.7

申请日：2016-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵相右 ,  全倧旭 ,  秋升晋 ,  司空炫哲 ,  崔在熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L23/3738 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/367 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN105870185B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201610081274.7

申请日：2016-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵相右 ,  全倧旭 ,  秋升晋 ,  司空炫哲 ,  崔在熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN105843981B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201610079496.5

申请日：2016-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚泽 ,  裵相右 ,  金慧珍 ,  朴浚均 ,  李贤雨

IPC: G06F30/39 ,  G06F30/398 ,  G06F115/06 ,  G06F119/18

Abstract: 提供了电路设计系统与使用该系统设计的半导体电路。半导体电路包括第一晶体管P1，其对第二节点Z2的电压电平选通并且为第一节点Z1供应电源电压；并联连接到第一晶体管P1的第二晶体管P2，其对第一节点Z1的电压电平选通并且为第二节点Z2供应电源电压；第三晶体管N3，其对输入信号的电压电平选通并且供应地电压；串联连接到第三晶体管N3的第四晶体管N1，其对电源电压选通并且将第三晶体管N3的输出转移到第一节点Z1；第五晶体管N4，其对输入信号的反相电压电平选通并且供应地电压；以及串联连接到第五晶体管N4的第六晶体管N2，其对电源电压选通并且将第五晶体管N4的输出转移到第二节点Z2，其中，第三晶体管N3和第四晶体管N4包括高k介电层。

公开(公告)号：CN107064782A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610825847.2

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李淳永 ,  裵相右

IPC: G01R31/303 ,  G01R31/3181 ,  G01R31/00 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R31/002 ,  G01R31/303 ,  G01R31/31816 ,  G01R31/2851

Abstract: 一种半导体测试设备，其包括：致动器，其保持辐射源并调整所述辐射源与样品之间的距离；以及控制器，其控制所述致动器的操作，并基于所述辐射源与所述样品之间的距离来计算所述样品的软错误率(SER)。所述控制器计算所述样品的SER在该处变为零的、所述辐射源与所述样品之间的第一距离，并基于所述第一距离来计算所述样品的金属‑介电比。

公开(公告)号：CN107064782B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201610825847.2

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李淳永 ,  裵相右

IPC: G01R31/303 ,  G01R31/3181 ,  G01R31/00 ,  G01R31/28

Abstract: 一种半导体测试设备，其包括：致动器，其保持辐射源并调整所述辐射源与样品之间的距离；以及控制器，其控制所述致动器的操作，并基于所述辐射源与所述样品之间的距离来计算所述样品的软错误率(SER)。所述控制器计算所述样品的SER在该处变为零的、所述辐射源与所述样品之间的第一距离，并基于所述第一距离来计算所述样品的金属‑介电比。

公开(公告)号：CN105843981A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610079496.5

申请日：2016-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚泽 ,  裵相右 ,  金慧珍 ,  朴浚均 ,  李贤雨

IPC: G06F17/50

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1104 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5081 ,  G06F2217/12 ,  G06F2217/64

Abstract: 提供了电路设计系统与使用该系统设计的半导体电路。半导体电路包括第一晶体管P1，其对第二节点Z2的电压电平选通并且为第一节点Z1供应电源电压；并联连接到第一晶体管P1的第二晶体管P2，其对第一节点Z1的电压电平选通并且为第二节点Z2供应电源电压；第三晶体管N3，其对输入信号的电压电平选通并且供应地电压；串联连接到第三晶体管N3的第四晶体管N1，其对电源电压选通并且将第三晶体管N3的输出转移到第一节点Z1；第五晶体管N4，其对输入信号的反相电压电平选通并且供应地电压；以及串联连接到第五晶体管N4的第六晶体管N2，其对电源电压选通并且将第五晶体管N4的输出转移到第二节点Z2，其中，第三晶体管N3和第四晶体管N4包括高k介电层。