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公开(公告)号：CN117412665A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310854398.4
申请日：2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；下电极，在基底上；介电层，覆盖下电极；以及上电极，覆盖介电层。下电极中的每个下电极包括：第一电极层，具有圆柱形形状；第一插入层，设置在第一电极层上并且具有圆柱形形状；第二电极层，设置在第一插入层上并且延伸以覆盖第一电极层的上端和第一插入层的上端。第一电极层和第二电极层中的至少一个具有第一应力，第一插入层具有与第一应力不同的第二应力。第一应力是拉伸应力和压缩应力中的一者，并且第二应力是拉伸应力和压缩应力中的另一者。
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公开(公告)号：CN117355131A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310586220.6
申请日：2023-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；与所述衬底垂直地间隔开的第一支撑体图案和第二支撑体图案，所述第二支撑体图案与所述第一支撑体图案垂直地间隔开；下电极孔，在所述衬底上垂直地延伸；下电极，位于所述下电极孔内部，接触所述第一支撑体图案和所述第二支撑体图案的侧壁，所述下电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层沿着所述下电极孔的侧壁的一部分和底表面设置，所述第二层位于所述第一层之间，所述第三层位于所述第一层的上表面和所述第二层的上表面上，所述第一层和所述第三层包括与所述第二层不同的材料，并且所述第三层的至少一部分的侧壁朝向所述第三层凹入，在所述垂直方向上与所述第二层交叠，并且在所述垂直方向上与所述第二层间隔开。
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公开(公告)号：CN116406226A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211309072.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体器件。所述半导体器件包括基底上的底部电极。在平面图中，支撑图案设置在底部电极之间。顶部电极覆盖底部电极和支撑图案。介电层设置在底部电极与顶部电极之间以及支撑图案与顶部电极之间。盖图案插置在底部电极与介电层之间以及支撑图案与介电层之间。盖图案覆盖支撑图案的侧表面的至少一部分，并且延伸以覆盖支撑图案的顶表面和底部电极的顶表面。
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公开(公告)号：CN114068812B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110837411.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。
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公开(公告)号：CN114256262A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111105617.6
申请日：2021-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：多个半导体图案，在第一方向上间隔开；多个模制绝缘层，在所述多个半导体图案之间；多个硅化物图案，接触所述多个半导体图案；以及多个第一金属导电膜，在所述多个模制绝缘层之间并连接到相应的硅化物图案，其中每个硅化物图案包括面对半导体图案的第一侧壁和面对第一金属导电膜的第二侧壁，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁在第一方向上延伸，硅化物图案的第一侧壁和硅化物图案的第二侧壁是弯曲表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116913899A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211622714.7
申请日：2022-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；电容器接触结构，电连接到基底；以及下电极，连接到电容器接触结构。下电极包括第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上，并且第一电极层包括14族元素。所述半导体装置包括：电容器绝缘层，覆盖下电极；以及上电极，覆盖电容器绝缘层。第一电极层包括与电容器绝缘层接触的外侧壁，第一电极层包括与第二电极层接触的内侧壁，并且第一电极层的内侧壁中的14族元素的浓度高于第一电极层的外侧壁中的14族元素的浓度。
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公开(公告)号：CN114068498A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110842247.8
申请日：2021-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一支撑图案和第二支撑图案，在第一方向上依次堆叠在衬底上并与衬底的上表面间隔开；下电极孔，在衬底上沿第一方向延伸穿过第一支撑图案和第二支撑图案；界面膜，在下电极孔的侧壁和底表面上；下电极，在下电极孔的内部在界面膜上；电容器电介质膜，与界面膜的侧壁、界面膜的最上表面和下电极的最上表面物理接触，界面膜的最上表面形成在与第二支撑图案的上表面相同的平面上。
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公开(公告)号：CN116583104A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310045236.6
申请日：2023-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；接触插塞，其位于衬底上；下电极，其电连接到接触插塞，并且包括顺序地堆叠的第一电极层、第一缓冲层和第二电极层；第一支撑层，其与下电极的上表面接触并且被设置为与下电极的至少一部分重叠，第一支撑层在平行于衬底的上表面的方向上延伸；电介质层，其设置在下电极和第一支撑层上；以及上电极，其设置在电介质层上。下电极包括：第一区域，其与第一支撑层重叠并且具有第一高度；以及第二区域，其不与第一支撑层重叠，并且具有低于第一高度的第二高度。
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公开(公告)号：CN114068812A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110837411.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。
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