公开(公告)号：CN118382290A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410012197.4

申请日：2024-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍秀 ,  姜政佑 ,  韩东旭 ,  金荷怜 ,  林义郎

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体装置。所述电容器结构包括：下电极；介电图案，在下电极的侧壁上；以及上电极结构，上电极结构包括顺序地堆叠在介电图案的侧壁上的第一上电极和第二上电极，其中，第一上电极和第二上电极中的每个包括金属氮化物，包括在第一上电极中的金属氮化物具有与包括在第二上电极中的金属氮化物的晶体取向不同的晶体取向，并且第一上电极的逸出功大于第二上电极的逸出功。

公开(公告)号：CN116406226A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211309072.5

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡弘植 ,  金泰均 ,  李珍秀 ,  闵孝善 ,  丁炯硕 ,  崔在亨 ,  韩东旭

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种半导体器件。所述半导体器件包括基底上的底部电极。在平面图中，支撑图案设置在底部电极之间。顶部电极覆盖底部电极和支撑图案。介电层设置在底部电极与顶部电极之间以及支撑图案与顶部电极之间。盖图案插置在底部电极与介电层之间以及支撑图案与介电层之间。盖图案覆盖支撑图案的侧表面的至少一部分，并且延伸以覆盖支撑图案的顶表面和底部电极的顶表面。

公开(公告)号：CN116913899A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202211622714.7

申请日：2022-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安智薰 ,  李珍秀 ,  蔡弘植 ,  韩东旭

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；电容器接触结构，电连接到基底；以及下电极，连接到电容器接触结构。下电极包括第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上，并且第一电极层包括14族元素。所述半导体装置包括：电容器绝缘层，覆盖下电极；以及上电极，覆盖电容器绝缘层。第一电极层包括与电容器绝缘层接触的外侧壁，第一电极层包括与第二电极层接触的内侧壁，并且第一电极层的内侧壁中的14族元素的浓度高于第一电极层的外侧壁中的14族元素的浓度。