公开(公告)号：CN117355131A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310586220.6

申请日：2023-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡弘植 ,  金泰均 ,  安智薰 ,  李炫锡 ,  赵基熙 ,  崔在亨

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；与所述衬底垂直地间隔开的第一支撑体图案和第二支撑体图案，所述第二支撑体图案与所述第一支撑体图案垂直地间隔开；下电极孔，在所述衬底上垂直地延伸；下电极，位于所述下电极孔内部，接触所述第一支撑体图案和所述第二支撑体图案的侧壁，所述下电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层沿着所述下电极孔的侧壁的一部分和底表面设置，所述第二层位于所述第一层之间，所述第三层位于所述第一层的上表面和所述第二层的上表面上，所述第一层和所述第三层包括与所述第二层不同的材料，并且所述第三层的至少一部分的侧壁朝向所述第三层凹入，在所述垂直方向上与所述第二层交叠，并且在所述垂直方向上与所述第二层间隔开。

公开(公告)号：CN116913899A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202211622714.7

申请日：2022-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安智薰 ,  李珍秀 ,  蔡弘植 ,  韩东旭

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；电容器接触结构，电连接到基底；以及下电极，连接到电容器接触结构。下电极包括第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上，并且第一电极层包括14族元素。所述半导体装置包括：电容器绝缘层，覆盖下电极；以及上电极，覆盖电容器绝缘层。第一电极层包括与电容器绝缘层接触的外侧壁，第一电极层包括与第二电极层接触的内侧壁，并且第一电极层的内侧壁中的14族元素的浓度高于第一电极层的外侧壁中的14族元素的浓度。