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公开(公告)号:CN115130418A
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202210146758.0
申请日:2022-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法。所述对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法包括:获得粒子信息和晶体信息;基于粒子信息和晶体信息,估计入射粒子的能量损失;基于能量损失,估计空位的体积;基于晶体信息和空位的体积,估计空位反应;以及基于空位反应生成输出数据,输出数据包括所述损伤的量化数据。
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公开(公告)号:CN117915655A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202311339563.9
申请日:2023-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件包括:基板;在基板上的位线;字线,提供在位线上并且在平行于基板的顶表面的第一方向上间隔开;背栅电极,提供在字线当中的一对相邻的字线之间;有源图案,提供在背栅电极和所述一对相邻的字线之间;分别提供在有源图案上的接触图案;第一背栅绝缘图案,提供在位线和背栅电极之间;以及提供在背栅电极上的第二背栅绝缘图案和第三背栅绝缘图案,其中第二背栅绝缘图案包括具有第一介电常数的材料并且第三背栅绝缘图案包括具有大于第一介电常数的第二介电常数的材料。
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公开(公告)号:CN114068685A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202110589033.4
申请日:2021-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底,包括凹部;栅极绝缘层,位于凹部的表面上;第一栅极图案,位于栅极绝缘层上,并且填充凹部的下部;第二栅极图案,在凹部中位于第一栅极图案上,并且包括具有与第一栅极图案的逸出功不同的逸出功的材料;盖绝缘图案,位于第二栅极图案上,并且填充凹部的上部;泄漏阻挡氧化物层,在凹部在第一栅极图案的上表面上方的上侧壁处位于栅极绝缘层上,并且接触盖绝缘图案的侧壁;以及杂质区,位于基底中并且与凹部的上侧壁相邻,每个杂质区具有比第一栅极图案的上表面高的下表面。
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公开(公告)号:CN100440071C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200510118425.3
申请日:2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G15/5004 , G03G21/1652 , G03G2221/166 , G03G2221/169
Abstract: 本发明公开了一种成像装置,其包括具有第一门和第二门的机壳、设置在该机壳内部的成像单元、和对所述成像单元供电或暂停供电的开关。第一门包括按压所述开关的推进器。当第一门和第二门关闭时,第二门按压所述推进器,推进器依次按压所述开关,以对成像单元供电。本发明的成像装置利用单个开关对成像单元供电和暂停供电,从而降低了成像装置的成本和复杂程度。
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公开(公告)号:CN101206446A
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200710306671.0
申请日:2007-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种成像装置,包括:主体单元,其具有成像单元;门单元,其和主体单元接合以打开和关闭主体单元,并且在其一侧具有突起;中间转印单元,其与门单元接合;接合钮,其被设置在主体单元上,并且当门单元被关闭时和突起的压力配合而旋转;和接合装置,其被设置在主体上,并且与接合钮的旋转配合,将驱动力从主体单元传递到中间转印单元。
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公开(公告)号:CN1786849A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510118425.3
申请日:2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G15/5004 , G03G21/1652 , G03G2221/166 , G03G2221/169
Abstract: 本发明公开了一种成像装置,其包括具有第一门和第二门的机壳、设置在该机壳内部的成像单元、和对所述成像单元供电或暂停供电的开关。第一门包括按压所述开关的推进器。当第一门和第二门关闭时,第二门按压所述推进器,推进器依次按压所述开关,以对成像单元供电。本发明的成像装置利用单个开关对成像单元供电和暂停供电,从而降低了成像装置的成本和复杂程度。
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