公开(公告)号：CN115130418A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210146758.0

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相运 ,  全柱炫 ,  金性珍 ,  金承贤 ,  卢元基 ,  朴彻佑 ,  卞诚载 ,  安泰玧 ,  郑孝恩

IPC: G06F30/39 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法。所述对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法包括：获得粒子信息和晶体信息；基于粒子信息和晶体信息，估计入射粒子的能量损失；基于能量损失，估计空位的体积；基于晶体信息和空位的体积，估计空位反应；以及基于空位反应生成输出数据，输出数据包括所述损伤的量化数据。

公开(公告)号：CN116234311A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211483775.X

申请日：2022-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑义撤 ,  李基硕 ,  卢元基 ,  崔贤根

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：晶体管主体，沿第一水平方向延伸并且包括沿第一水平方向顺序地布置的第一源/漏区、单晶沟道层和第二源/漏区；栅电极层，沿与第一水平方向正交的第二水平方向延伸并且覆盖单晶沟道层的上表面和下表面；位线，连接到第一源/漏区，沿竖直方向延伸，并且沿第二水平方向具有第一宽度；间隔件，覆盖第一源/漏区的上表面和下表面，并且具有大于第一宽度的第二宽度；以及单元电容器，沿第一水平方向相对于晶体管主体位于与位线相对的一侧上，并且包括下电极层、上电极层和电容器介电层，电容器介电层位于下电极层与上电极层之间。

公开(公告)号：CN115602702A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210727771.5

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 金成焕 ,  卢元基 ,  郑娜瑞 ,  韩昇煜

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；位线结构，在衬底上在第一方向上排列，位线结构在第二方向上延伸；间隔物结构，设置在位线结构的侧壁上以在第二方向上延伸，间隔物结构包括由空气或氧化硅形成的间隔物；接触结构，设置在间隔物结构之间并且在第二方向上排列；围栏结构，填充接触结构之间的间隙和间隔物结构之间的间隙；以及焊盘隔离膜，隔离位于位线结构上的接触结构、间隔物结构和围栏结构。围栏结构包括第一围栏衬垫和第二围栏衬垫，第二围栏衬垫位于第一围栏衬垫上并且由空气和氧化硅中的一种形成，并且第二围栏衬垫在第一方向上与间隔物交叠。