公开(公告)号：CN109785879B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201811249889.1

申请日：2018-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹盛远 ,  李汉埈

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种操作包括多个级的存储器设备的方法，其中每一级具有多个页面缓冲器。该方法包括：执行多个编程循环当中的第一编程循环的验证操作，第一编程循环的验证操作包括：基于第一采样率对所述多个级的第一级执行第一关闭单元计数操作，以生成第一关闭单元计数结果；基于第一关闭单元计数结果选择性地改变第一采样率以生成改变的第一采样率；以及基于第一采样率和改变的第一采样率中的一个对所述多个级中的第二级执行第二关闭单元计数操作，以生成第二关闭单元计数结果。

公开(公告)号：CN110277127A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910066103.0

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方真培 ,  宋承桓 ,  边大锡 ,  朴一汉 ,  尹铉竣 ,  李汉埈 ,  崔那荣

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，多个锁存器集根据读取信号集中的每一个读取信号集对多个存储单元中所选择的存储单元的每个页数据进行锁存，其中每一个读取信号集包括至少一个读取信号；以及控制逻辑器件，被配置为检测存储单元的劣化水平并且基于检测到的劣化水平确定应用于读取信号集中的至少一个读取信号集的读取参数。

公开(公告)号：CN110277127B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201910066103.0

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方真培 ,  宋承桓 ,  边大锡 ,  朴一汉 ,  尹铉竣 ,  李汉埈 ,  崔那荣

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，多个锁存器集根据读取信号集中的每一个读取信号集对多个存储单元中所选择的存储单元的每个页数据进行锁存，其中每一个读取信号集包括至少一个读取信号；以及控制逻辑器件，被配置为检测存储单元的劣化水平并且基于检测到的劣化水平确定应用于读取信号集中的至少一个读取信号集的读取参数。

公开(公告)号：CN115881199A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210881077.9

申请日：2022-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汉埈 ,  金炳秀 ,  南尚完

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/08 ,  G11C16/04

Abstract: 一种编程方法，包括：将第一电压施加到多条位线，将第二电压施加到公共源极线(CSL)，以及通过将编程电压和验证电压施加到多条接地选择线(GSL)中的每一条来执行编程循环，该多条接地选择线位于多条位线中的一条位线和CSL之间。对通过施加编程电压而完成编程的编程完成单元和编程目标单元两者执行编程循环。

公开(公告)号：CN110197690B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201910122861.X

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汉埈 ,  金承范 ,  金哲范 ,  李承宰

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 存储器器件包括多个字线。一种操作存储器器件的方法包括：通过向第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作；基于执行第一虚拟读取操作的结果，确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化；基于确定阈值电压分布的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平；以及通过向字线当中的第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作。

公开(公告)号：CN110021328B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201811306234.3

申请日：2018-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汉埈 ,  金承范 ,  朴一汉

IPC: G11C16/08 ,  G11C8/08

Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：向选定的字线提供读取电压并向多条未选定的字线提供通过电压的电压发生器；以及劣化水平检测电路。所述选定的字线和所述未选定的字线连接到多个存储单元。所述劣化水平检测电路基于接收到所述读取电压的存储单元的数据来检测连接到所述选定的字线的存储单元的劣化水平。连接到所述选定的字线的存储单元和接收到所述读取电压的存储单元包括在所述多个存储单元中。所述电压发生器基于所述劣化水平来改变提供给所述未选定的字线的所述通过电压。

公开(公告)号：CN110175135B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201910128529.4

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汉埈 ,  郭东勳 ,  李耀翰

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0882

Abstract: 公开一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；页缓冲器单元，包括多个页缓冲器；驱动确定单元，确定是否执行连接到被提供读取电压的存储器单元的页缓冲器的预充电操作、发展操作和锁存操作中的至少一个。

公开(公告)号：CN110175135A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910128529.4

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汉埈 ,  郭东勳 ,  李耀翰

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0882

Abstract: 公开一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；页缓冲器单元，包括多个页缓冲器；驱动确定单元，确定是否执行连接到被提供读取电压的存储器单元的页缓冲器的预充电操作、发展操作和锁存操作中的至少一个。

公开(公告)号：CN119673252A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410303703.5

申请日：2024-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汉埈 ,  金水龙 ,  李承宰 ,  全秀昶

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C29/42

Abstract: 公开了非易失性存储器装置和存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，用于存储原始设置数据；页缓冲器电路，通过多条位线连接到存储器单元阵列；以及安全缓冲器和控制电路。安全缓冲器包括访问控制电路和具有受限访问的多个寄存器，并且所述多个寄存器存储在初始化序列中通过页缓冲器电路从存储器单元阵列向下转储的原始设置数据。控制电路控制页缓冲器电路和安全缓冲器。所述多个寄存器包括第一寄存器和第二寄存器。响应于第一寄存器被访问，访问控制电路与访问第一寄存器同时访问第二寄存器中的至少一部分寄存器。

公开(公告)号：CN116092561A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211073405.9

申请日：2022-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相元 ,  郑原宅 ,  李汉埈 ,  全秀昶

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/26 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了一种非易失性存储器和一种包括该非易失性存储器的存储装置。该非易失性存储器可以包括：第一存储器单元阵列，其包括连接到第一串选择线的第一选择晶体管；第二存储器单元阵列，其包括连接到通过第一切割线与第一串选择线间隔开的第二串选择线的第二选择晶体管；以及外围电路。外围电路可以将第一编程电压提供到第一选择晶体管，将与第一编程电压不同的第二编程电压提供到第二选择晶体管，响应于第一编程电压用第一阈值电压对第一选择晶体管进行编程，并且响应于第二编程电压用具有大于第一阈值电压的电平的电平的第二阈值电压对第二选择晶体管进行编程。