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公开(公告)号：CN110021311A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811293761.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种非易失性存储设备包括：包含多个存储单元的存储单元阵列；用于执行多个读取操作并且存储读取操作的结果的页缓冲器，其中，读取操作中的每一个包括用于多个存储单元中的所选择的存储单元的至少一个读出操作；多读出管理器，用于确定多个读取操作中的每一个的读出操作的数量并且控制页缓冲器执行读取操作；以及数据识别器，用于基于读取操作的结果来识别所选择的存储单元的比特的数据状态，其中，多读出管理器确定用于读取操作当中的至少一个读取操作的读出操作的数量不同于用于读取操作当中的其他读取操作的读出操作的数量。
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公开(公告)号：CN120015090A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411416336.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；以及页缓冲器电路，包括通过多条位线分别耦接到多个存储单元的多个页缓冲器。多个页缓冲器中的每个页缓冲器包括：第一晶体管，基于第一控制信号将多条位线中的对应位线耦接到第一节点；第二晶体管，将第一节点耦接到感测节点；感测锁存器，被配置为：基于感测节点的第一电压电平来感测存储在对应存储单元中的数据；强制锁存器，被配置为：存储强制数据；第一放电晶体管，包括被配置为接收强制数据的第一栅极端子；以及第二放电晶体管，包括被配置为接收放电控制信号的第二栅极端子。
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公开(公告)号：CN110021311B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201811293761.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种非易失性存储设备包括：包含多个存储单元的存储单元阵列；用于执行多个读取操作并且存储读取操作的结果的页缓冲器，其中，读取操作中的每一个包括用于多个存储单元中的所选择的存储单元的至少一个读出操作；多读出管理器，用于确定多个读取操作中的每一个的读出操作的数量并且控制页缓冲器执行读取操作；以及数据识别器，用于基于读取操作的结果来识别所选择的存储单元的比特的数据状态，其中，多读出管理器确定用于读取操作当中的至少一个读取操作的读出操作的数量不同于用于读取操作当中的其他读取操作的读出操作的数量。
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公开(公告)号：CN110364208B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910180927.0
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种存储器装置。一种存储器装置包括：页缓冲器单元，包括多个锁存器，所述多个锁存器根据由选择的存储器单元的字线提供的多个虚设信号，锁存选择的存储器单元的多条虚设数据中的每条虚设数据；控制逻辑，将所述多个锁存器中的第一计数锁存器的计数值与参考计数值进行比较，根据比较结果确定是否对不同于第一计数锁存器的第二计数锁存器进行计数，并且校正在读取操作中由选择的存储器单元的字线提供的读取信号的电压电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109559776B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201811019623.8
申请日：2018-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括多电平单元。所述非易失性存储器装置的读出方法包括：在第一预充电间隔期间，对位线和感测输出节点进行预充电；通过在第一发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第一电压电平来识别所选择的存储器单元的第一状态；将所述感测输出节点预充电至第二感测输出预充电电压；以及通过在不同于所述第一发展时间的第二发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第二电压电平，从与所述第一状态相邻的第二状态识别所选择的存储器单元的所述第一状态。
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公开(公告)号：CN110364208A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910180927.0
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种存储器装置。一种存储器装置包括：页缓冲器单元，包括多个锁存器，所述多个锁存器根据由选择的存储器单元的字线提供的多个虚设信号，锁存选择的存储器单元的多条虚设数据中的每条虚设数据；控制逻辑，将所述多个锁存器中的第一计数锁存器的计数值与参考计数值进行比较，根据比较结果确定是否对不同于第一计数锁存器的第二计数锁存器进行计数，并且校正在读取操作中由选择的存储器单元的字线提供的读取信号的电压电平。
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公开(公告)号：CN109559776A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811019623.8
申请日：2018-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括多电平单元。所述非易失性存储器装置的读出方法包括：在第一预充电间隔期间，对位线和感测输出节点进行预充电；通过在第一发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第一电压电平来识别所选择的存储器单元的第一状态；将所述感测输出节点预充电至第二感测输出预充电电压；以及通过在不同于所述第一发展时间的第二发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第二电压电平，从与所述第一状态相邻的第二状态识别所选择的存储器单元的所述第一状态。
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