公开(公告)号：CN119785849A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411346391.2

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世雄 ,  李光珍 ,  权起禄 ,  李庚德 ,  车相守 ,  千允洙

IPC: G11C16/10 ,  G11C11/406

Abstract: 提供一种储存设备，包括：存储设备，包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元；控制器，被配置为响应于从主机接收的写入请求控制存储设备的编程操作；以及温度传感器，被配置为测量内部温度，其中，控制器还被配置为基于由温度传感器测量的第一温度，将多个存储块中的一个存储块激活为风险块，并且然后使用风险块控制高可靠性编程操作，或者将多个存储块中的一个存储块激活为第一正常块，并且然后使用第一正常块控制正常编程操作。

公开(公告)号：CN119132365A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410475219.0

申请日：2024-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李世雄 ,  卢海东 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C16/08 ,  G11C29/42 ,  G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元块；以及地址解码器，其通过多个字线连接到存储器单元阵列，并且被配置为将读取通过电压施加到多个存储器单元块当中的选择的存储器单元块的未选择的字线，并将不同电平的读取通过电压施加到所述多个存储器单元块当中的不同存储器单元块。

公开(公告)号：CN119132355A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410652370.7

申请日：2024-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东浩 ,  李世雄 ,  千允洙

IPC: G11C7/20 ,  G11C7/10 ,  G11C8/08 ,  G11C5/14

Abstract: 公开了存储装置及其回收操作方法。所述存储装置包括：闪存，包括选择的字线和与选择的字线相邻的相邻字线；以及存储器控制器，被配置为：在读取操作期间将选择读取电压提供给选择的字线，并且将通过电压提供给所述相邻字线，通过电压高于选择读取电压，其中，存储器控制器还被配置为：基于所述相邻字线的劣化水平来确定选择的字线是否是热点读取字线，并且当选择的字线是热点读取字线时，对所述相邻字线执行字线回收操作。

公开(公告)号：CN115440279A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210361598.1

申请日：2022-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车相守 ,  李世雄 ,  千允洙

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42 ,  G11C16/04 ,  G06F3/06

Abstract: 提供了非易失性存储器装置、操作控制器和操作存储装置的方法。所述操作控制器的方法包括：根据来自主机的读取请求，将第一命令随机地发送到非易失性存储器装置；从非易失性存储器装置接收与第一命令对应的第一读取数据；确定第一读取数据的第一错误位的数量是否大于第一参考值；当第一错误位的数量不大于第一参考值时，确定第一错误位的数量是否大于第二参考值；当第一错误位的数量大于第二参考值时，将目标字线存储在健康缓冲器中；将第二命令周期性地发送到非易失性存储器装置；以及从非易失性存储器装置接收与第二命令对应的第二读取数据。